本文選題：硅基波導(dǎo)　切入點(diǎn)：波導(dǎo)設(shè)計(jì)　出處：《實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理》2017年03期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：為了解決表面等離子器件尺寸過大、不能通用集成的問題,采用對(duì)稱梯形、金屬-介質(zhì)-金屬結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)了一種新型的能夠光電集成的硅基波導(dǎo)。設(shè)計(jì)波導(dǎo)的芯層面積越大局域化強(qiáng)度更高,梯形波導(dǎo)頂角145°時(shí)局域因子能夠達(dá)到96.8%;內(nèi)部芯層越寬電場(chǎng)局域化程度越高,傳輸距離越長(zhǎng);當(dāng)芯寬50nm時(shí),梯形波導(dǎo)間距大于900nm能提高耦合效率、降低干擾的影響。
[Abstract]:In order to solve the problem that the surface plasma device is too large and can not be integrated generally, the symmetrical trapezoid, metal-dielectric metal structure is adopted. A new type of silicon-based waveguide with optoelectronic integration is designed. The larger the core area, the higher the localization intensity, the local factor can reach 96.8 when the top angle of trapezoidal waveguide is 145 擄, the wider the core layer is, the higher the localization degree is. When the core width is 50nm, the trapezoidal waveguide spacing greater than 900nm can improve the coupling efficiency and reduce the influence of interference.
【作者單位】： 貴陽學(xué)院機(jī)械工程學(xué)院;
【基金】：2014年貴州省科學(xué)技術(shù)聯(lián)合基金項(xiàng)目“基于DPSK低壓電力線傳輸?shù)倪h(yuǎn)程抄表系統(tǒng)的應(yīng)用與研究”(黔科合LH字[2014]7200號(hào))
【分類號(hào)】：TN814

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1561797