本文關(guān)鍵詞：車(chē)載測(cè)量天線的設(shè)計(jì)研究

  更多相關(guān)文章： 車(chē)載測(cè)量天線 比幅測(cè)向 單極Vivaldi天線 低副瓣天線

【摘要】：隨著通信技術(shù)的發(fā)展,各種復(fù)雜的空間電磁環(huán)境催生了各種無(wú)線測(cè)量系統(tǒng),同時(shí)高機(jī)動(dòng)性、實(shí)時(shí)性、低成本、低剖面等實(shí)際應(yīng)用需求促使人們將無(wú)線通信測(cè)量系統(tǒng)安裝到車(chē)輛上,因此車(chē)載測(cè)量系統(tǒng)技術(shù)日益成為研究設(shè)計(jì)的熱點(diǎn)。而天線作為車(chē)載測(cè)量系統(tǒng)的關(guān)鍵的部分,具有重要的研究意義。本文針對(duì)兩種車(chē)載測(cè)量系統(tǒng)天線進(jìn)行了設(shè)計(jì)與測(cè)量。第一種是車(chē)載寬帶比幅測(cè)向天線。首先,基于傳統(tǒng)寬帶Vivaldi天線作鏡像設(shè)計(jì)了單極的Vivaldi天線以降低天線的剖面高度；接著在此基礎(chǔ)上為了在整個(gè)頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)較為一致的主瓣寬度和主瓣內(nèi)增益線性變化的目標(biāo),提出多天線的陣列方案,該方案采用小型化復(fù)用波束成型的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低頻三天線單元組成子陣列,高頻單個(gè)天線單元單獨(dú)工作的陣列；最后在集成后的天線陣列上增加蓋板以減少法向的輻射,提高水平方向的增益及降低副瓣。整個(gè)天線陣列實(shí)測(cè)結(jié)果良好,單個(gè)天線單元在790-960MHz和1710MHz-2700MHz的頻段內(nèi)有接近45°的3dB波束寬度,且在該范圍內(nèi)有線性變化的增益。第二種是車(chē)載連續(xù)波測(cè)速雷達(dá)天線�；诨刹▽�(dǎo)技術(shù)總結(jié)了低副瓣縱向縫隙天線陣列的綜合和設(shè)計(jì)方法,設(shè)計(jì)并比較了三種用于車(chē)載連續(xù)波測(cè)速雷達(dá)的發(fā)射和接收的低副瓣縱向縫隙天線陣列,分別是基于樹(shù)狀功分的8×12面陣、基于T型功分的8×12面陣和對(duì)饋形式的8×12面陣。測(cè)量結(jié)果表明,在24GHz處,基于樹(shù)狀功分的8×12面陣方向圖E面副瓣低于-25dB,H面副瓣低于-30dB；基于T型功分的8×12面陣的方向圖E面副瓣低于-25dB,H面副瓣低于-30dB;對(duì)饋形式的8×12面陣測(cè)量結(jié)果與仿真結(jié)果的對(duì)比表明其也能達(dá)到E面副瓣-25dB,H面副瓣-30dB的水平。
【關(guān)鍵詞】：車(chē)載測(cè)量天線 比幅測(cè)向 單極Vivaldi天線 低副瓣天線
【學(xué)位授予單位】：東南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類(lèi)號(hào)】：TN820
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-9
• 第一章 緒論9-13
• 1.1 課題研究背景和意義9
• 1.2 測(cè)向技術(shù)和超寬帶天線的研究進(jìn)展9-11
• 1.3 基片集成波導(dǎo)天線的研究進(jìn)展11
• 1.4 本文研究?jī)?nèi)容與安排11-13
• 第二章 寬帶車(chē)載測(cè)向天線陣列的設(shè)計(jì)13-33
• 2.1 Vivaldi天線的設(shè)計(jì)原理13-17
• 2.1.1 Vivaldi天線巴倫結(jié)構(gòu)13-14
• 2.1.2 傳統(tǒng)Vivaldi天線的設(shè)計(jì)14-17
• 2.2 低剖面單極Vivaldi天線17-20
• 2.2.1 電磁場(chǎng)鏡像原理17
• 2.2.2 單極Vivaldi天線設(shè)計(jì)17-20
• 2.3 小型化復(fù)用波束成型網(wǎng)絡(luò)20-23
• 2.3.1 圓形陣列基礎(chǔ)理論20-21
• 2.3.2 復(fù)用波束成型網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)21-23
• 2.4 陣列設(shè)計(jì)及測(cè)試結(jié)果23-31
• 2.5 本章總結(jié)31-33
• 第三章 調(diào)頻連續(xù)波測(cè)速雷達(dá)天線的設(shè)計(jì)33-57
• 3.1 基片集成波導(dǎo)基本設(shè)計(jì)注意點(diǎn)33-35
• 3.2 低副瓣基片集成波導(dǎo)功率分配器的設(shè)計(jì)35-40
• 3.2.1 低副瓣幅度分布35-36
• 3.2.2 樹(shù)狀低副瓣功分器的設(shè)計(jì)36-38
• 3.2.3 T型低副瓣功分器的設(shè)計(jì)38-40
• 3.3 低副瓣基片集成波導(dǎo)縫隙天線陣列的設(shè)計(jì)40-54
• 3.3.1 縫隙單元參數(shù)的提取方法和陣列綜合方法40-42
• 3.3.2 基片集成波導(dǎo)十二元線陣的設(shè)計(jì)42-44
• 3.3.3 對(duì)饋基片集成波導(dǎo)十二元線陣的設(shè)計(jì)44-46
• 3.3.4 兩種基片集成波導(dǎo)8×12面陣的設(shè)計(jì)46-51
• 3.3.5 對(duì)饋基片集成波導(dǎo)8×12面陣的設(shè)計(jì)51-54
• 3.4 本章總結(jié)54-57
• 第四章 結(jié)論與展望57-58
• 參考文獻(xiàn)58-62
• 致謝62-63
• 作者簡(jiǎn)介63

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本文編號(hào)：1067031