感性耦合等離子體(Inductively coupled plasma,ICP)具有密度高、電子溫度低、面積大且均勻性好等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于微電子行業(yè)。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,集成電路線寬越來越窄,對刻蝕要求越來越高,為了解決等離子體刻蝕中高能粒子對基地的損傷和電荷積累導(dǎo)致的畸形刻蝕等問題,人們提出了脈沖調(diào)制ICP。脈沖調(diào)制ICP增加了脈沖頻率和脈沖占空比兩個(gè)可控參數(shù),從而可以更加靈活地控制等離子體的狀態(tài),尤其在脈沖后輝光期鞘層塌縮,負(fù)離子和電子可以運(yùn)動到溝槽底部中和刻蝕過程中積累的正電荷,從而改善刻蝕形貌。CF₄氣體對芯片刻蝕工藝有著重要的應(yīng)用,但是對于脈沖調(diào)制射頻感性耦合Ar/CF₄等離子體的放電特性開展的研究較少。本文聯(lián)合采用VI-probe、Langmuir探針、Hairpin探針、光譜儀等診斷工具對連續(xù)波及脈沖調(diào)制射頻感性耦合Ar/CF₄等離子體進(jìn)行實(shí)驗(yàn)診斷研究。主要觀察了氣壓、功率等對等離子體的輸入功率、電子密度、有效電子溫度、電子能量概率分布函數(shù)(Electron Energy Probability Fun...

【文章頁數(shù)】：56 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 低溫等離子體概述
    1.2 脈沖感性耦合等離子體研究進(jìn)展
    1.3 本文的研究內(nèi)容及編排
2 實(shí)驗(yàn)裝置及診斷方法
    2.1 ICP裝置
    2.2 診斷方法介紹
        2.2.1 Langmuir探針
        2.2.2 Hairpin探針
        2.2.3 光譜儀
        2.2.4 VI-probe
3 放電參數(shù)對CF₄/Ar連續(xù)波放電的影響
    3.1 氣壓的影響
    3.2 功率的影響
    3.3 小結(jié)
4 脈沖感性耦合放電中輸入功率和電子密度的瞬態(tài)研究
    4.1 Ar放電中不同功率下輸入功率及電子密度的時(shí)間演化規(guī)律
    4.2 Ar放電中不同氣壓下輸入功率及電子密度的時(shí)間演化規(guī)律
    4.3 Ar/CF₄放電中不同功率下輸入功率及電子密度的時(shí)間演化規(guī)律
    4.4 Ar/CF₄放電中不同氣壓下輸入功率及電子密度的時(shí)間演化規(guī)律
    4.5 Langmuir探針與Hairpin探針結(jié)果對比
    4.6 小結(jié)
5 脈沖調(diào)制射頻感性耦合放電中等離子體參數(shù)的空間演化
    5.1 Ar放電中等離子體參數(shù)的軸向變化
    5.2 Ar/CF₄放電中等離子體參數(shù)的軸向變化
    5.3 Ar和 Ar/CF₄ 放電中等離子體參數(shù)的徑向變化
    5.4 小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文情況
致謝



本文編號：3953244