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拓?fù)浣俳^緣體的拓?fù)湎嘧兒蛢r(jià)態(tài)轉(zhuǎn)變研究

發(fā)布時(shí)間:2024-02-24 18:30
  拓?fù)湫越俳^緣體如SmB6和YbB6等是最近幾年來(lái)發(fā)現(xiàn)的一類新型拓?fù)浣^緣體。與一般的能帶性拓?fù)浣^緣體不同,拓?fù)湫越俳^緣體是一種強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系,它的拓?fù)涮匦杂呻娮雨P(guān)聯(lián)引起,因此是研究電子關(guān)聯(lián)對(duì)拓?fù)潴w系的影響的理想體系。目前,利用各類理論工具對(duì)其拓?fù)湫砸呀?jīng)得到了初步的理解。SmB6是一種混合價(jià)態(tài)體系,Smv+離子的價(jià)態(tài)v處于2和3之間。最近兩年來(lái)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在加壓下SmB6發(fā)生磁性相變,并且Sm離子的價(jià)態(tài)v在其磁性相變附近會(huì)發(fā)生劇烈的變化,從混合價(jià)態(tài)增加為接近3價(jià),稱為價(jià)態(tài)轉(zhuǎn)變,這提供了研究拓?fù)湫越俳^緣體中電子關(guān)聯(lián)對(duì)拓?fù)涮匦、價(jià)態(tài)轉(zhuǎn)變影響的很好理論-實(shí)驗(yàn)對(duì)比平臺(tái),并能提升對(duì)關(guān)聯(lián)型拓?fù)浣^緣體中的豐富相變過(guò)程的理解。本文將對(duì)拓?fù)湫越俳^緣體的價(jià)態(tài)轉(zhuǎn)變和相關(guān)的磁性相變、拓?fù)湎嘧冋归_(kāi)理論研究。第一章中將首先介紹本文工作中需要用到的重要理論方法—緊束縛近似,利用它的二次量子化表示,結(jié)合對(duì)角化方法可以方便地求解能帶色散關(guān)系,然后介紹近藤絕緣體的理論模型及隸玻色子計(jì)算方法,這將在后續(xù)章節(jié)中應(yīng)用。第二章將引入拓?fù)湫越俳^緣體的理論模型—含自旋-軌道耦合的Anderson晶格模型,并利用隸玻色子方法求解其能帶色...

【文章頁(yè)數(shù)】:62 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖1.1一維晶格在弱周期勢(shì)近似下的能帶,各能帶之間由能隙相互隔開(kāi)

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轡灰蜃觧ikRe,即:nikRnkrRer(1.3)上述兩方程共同構(gòu)成了布洛赫定理。由于波函數(shù)與自由電子的平面波函數(shù)不同,因此,由(1.1)式?jīng)Q定的布洛赫電子的能量也與自由電子不同。當(dāng)周期勢(shì)Vr很小時(shí)(稱為弱周期勢(shì)近似),利用量子力學(xué)的微擾論可以證明,與自由電子類似,布洛赫電子的....


圖1.2導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的能帶特征,Eg為禁帶寬度,Ef為費(fèi)米能

圖1.2導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的能帶特征,Eg為禁帶寬度,Ef為費(fèi)米能

桂林理工大學(xué)碩士學(xué)位論文3圖1.2導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的能帶特征,Eg為禁帶寬度,Ef為費(fèi)米能。Figure1.2Bandcharacteristicsofconductors,semiconductorsandinsulators.EgisbandgapwidthandEfis....


圖1.3晶體中的原子能級(jí)展寬形成緊束縛型能帶

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桂林理工大學(xué)碩士學(xué)位論文3圖1.2導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的能帶特征,Eg為禁帶寬度,Ef為費(fèi)米能。Figure1.2Bandcharacteristicsofconductors,semiconductorsandinsulators.EgisbandgapwidthandEfis....


圖1.4二維晶格示意圖

圖1.4二維晶格示意圖

桂林理工大學(xué)碩士學(xué)位論文41iklnknlrerlN(1.4)通過(guò)相鄰格點(diǎn)間軌道波函數(shù)的交疊大小,結(jié)合晶格結(jié)構(gòu),可以得到原子軌道對(duì)應(yīng)的能帶色散關(guān)系。從緊束縛近似可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)晶體中的原子之間距離逐漸減小時(shí),交疊積分逐漸變大,圖1.3中各原子軌道形成的能帶展寬將變大,各能級(jí)間可能發(fā)生....



本文編號(hào):3909436

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