ZnSe晶體是紅外光學(xué)材料的基板和光電調(diào)制器的基礎(chǔ)材料。本文介紹了ZnSe晶體的光學(xué)基本性質(zhì),以及在ps或者fs等微小時(shí)間量級(jí)上,ZnSe晶體在非線(xiàn)性光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用。通過(guò)闡述光學(xué)晶體的非線(xiàn)性測(cè)量方法,解釋了光致折射的變化,主要產(chǎn)生的是自聚焦、自散焦以及光學(xué)克爾效應(yīng)等光學(xué)非線(xiàn)性特性。通過(guò)光學(xué)模擬,詳細(xì)分析在激光器作用下的快速微觀過(guò)程的基礎(chǔ)研究。通過(guò)改變ZnSe晶體的非線(xiàn)性,可實(shí)現(xiàn)對(duì)腔內(nèi)自相位調(diào)制強(qiáng)度的調(diào)控,使得脈沖光譜得到有效展寬和脈沖壓縮。 

【文章來(lái)源】：化工技術(shù)與開(kāi)發(fā). 2020,49(10)

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

Z-scan實(shí)驗(yàn)裝置圖

飽和吸收

對(duì)于閉孔Z-scan，我們只考慮非線(xiàn)性折射，其非線(xiàn)性折射包括兩種情況：自聚焦和自散焦，分別對(duì)應(yīng)正的非線(xiàn)性折射和負(fù)的非線(xiàn)性折射。一個(gè)完整的Z-scan實(shí)驗(yàn)過(guò)程探測(cè)器所記錄的透過(guò)率曲線(xiàn)表現(xiàn)為先波谷后波峰，波谷對(duì)應(yīng)在透鏡焦點(diǎn)之前出現(xiàn)的透過(guò)率最小值，波峰對(duì)應(yīng)在焦點(diǎn)后存在的透過(guò)率最大值(圖4)。自散焦實(shí)驗(yàn)過(guò)程現(xiàn)象與自聚焦正好相反，其歸一化能量透過(guò)率曲線(xiàn)表現(xiàn)為先波峰后波谷(圖4中插圖)。3 Zn Se晶體的光學(xué)非線(xiàn)性理論分析

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]紅外材料硒化鋅制備方法的研究進(jìn)展[J]. 于金鳳,吳廣杰,朱劉.  廣東化工. 2017(16)
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本文編號(hào)：3337848