半導體量子點因獨特的結(jié)構(gòu)特性,其電子運動在空間三個方向上受到限制,因此能級呈現(xiàn)分立狀態(tài),素有“人工原子”之稱,在多個領(lǐng)域有重要的應用價值。而激光、存儲器以及量子計算等領(lǐng)域往往要求控制量子點的位置分布�，F(xiàn)階段控制量子點位置的技術(shù)主要是在圖形化襯底上生長量子點。但這項技術(shù)引入的缺陷、表面氧化以及化學污染都很嚴重。課題組創(chuàng)造性地將分子束外延技術(shù)和激光干涉技術(shù)原位結(jié)合,本文在激光干涉原位圖形化刻蝕加工量子點方面做了進一步研究。在As4氛圍下進行了周期性量子點的實驗驗證。實驗發(fā)現(xiàn),As4氛圍下制備的周期性量子點幾何形態(tài)上存在明顯的“卵形”形變。考慮到As2氛圍能夠有效抑制In原子對激光的響應活性,本文在As2氛圍下進行周期性量子點的制備。為了提高相干增強區(qū)域量子點的脫附效率,降低相干相消區(qū)域量子點的形變,本文通過提高襯底溫度并降低激光功率,最終取得了形態(tài)對稱的周期性量子點。利用As4氛圍下In原子光致遷移行為具有極高的各向異性這一特點,本文在As4氛圍下使用激光對量子點進行原位整形研究。結(jié)果表明:對應于一定強度的激光,量子點襯底溫度存在一個整形閾值,當襯底溫度高于閾值時,激光可在不破壞原子層的條...

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－２零維量子點的電子態(tài)密度分布示意圖，插圖為零維量子點結(jié)構(gòu)示意圖??目前研宄發(fā)現(xiàn)量子點隨著維度和尺寸的降低，表現(xiàn)出例如量子尺寸效應、量子隧??

第一章緒論?周期性量子點和“卵形”量子點的原位激光制備??麵?■??（ａ）?（ｂ）?（ｃ）?（ｄ）??圖１－１不同維度的半導體材料［１１］：?（ａ）三維塊體材料；（ｂ）二維量子阱材料；（ｃ）?一維量??子線材料；（ｄ）零維量子點材料??利用量子力學公式可計算出量子點載流子的波函數(shù)....

圖１－１不同維度的半導體材料［１１］：?（ａ）三維塊體材料；（ｂ）二維量子阱材料；（ｃ）?一維量??

第一章緒論?周期性量子點和“卵形”量子點的原位激光制備??麵?■??（ａ）?（ｂ）?（ｃ）?（ｄ）??圖１－１不同維度的半導體材料［１１］：?（ａ）三維塊體材料；（ｂ）二維量子阱材料；（ｃ）?一維量??子線材料；（ｄ）零維量子點材料??利用量子力學公式可計算出量子點載流子的波函數(shù)....

圖１－３在圖形化襯底上生長量子點的過程示意圖：（ａ）利用刻蝕技術(shù)制備第一層圖案；（ｂ）圖??（ａ）中孔洞結(jié)構(gòu)過小過疏時量子點的生長情況；（ｃ）圖（ａ）中孔洞結(jié)構(gòu)過大過密時量子點的生??長情況；（ｄ）在圖形化襯底上生長完量子點后生長蓋層的示意圖；（ｅ）圖（ｄ）中蓋層過薄時第??

第一章緒論?周期性量子點和“卵形”量子點的原位激光制備??主要是利用微納加工手段比如電子束光刻、納米壓英全息光刻以及機械刻蝕等方法??在襯底上制造周期性的微納結(jié)構(gòu)ｐ；２８；５８＿６（）］，在烘烤去氣處理之后結(jié)合分子束外延??（ＭＢＥ）或金屬有機氣相沉淀（ＭＯＣＶＤ）等手段再生長按....

圖１－６利用干涉場制備周期性量子點的示意圖：（ａ）利用干涉場輻照量／？點；（ｂ）受千涉場調(diào)??周量

子點中Ｉｎ原子未完全脫附??干凈，同時較低的溫度下原子的遷移作用有限。??Ｄ?＝?Ｄ〇ｅｘｐ－Ｅｄ／ｋＴ?（１．８）??課題組就這兩種現(xiàn)象提出了“光致脫附”理論模型［６４；７１］，即原子在激光輻照后獲??得足夠強的能量直接克服真空勢壘，從表面脫離；以及“光致遷移”理論模型？；７１....

本文編號：3997666