<正>中國科技大學研究團隊與其合作者在國際上首次發(fā)現了硅基自旋量子比特弛豫的強各向異性:通過改變外加磁場與硅片晶向的相對方向,可以將自旋量子比特壽命提高兩個數量級以上。硅基自旋量子比特以其超長的量子退相干時間,以及與現代半導體工藝技術兼容的高可擴展性,成為量子計算研究的核心方向之一。近幾年,基于硅平面晶體管（Si MOS）和 

【文章來源】：石河子科技. 2020,(04)

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