<正>中國科技大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)與其合作者在國際上首次發(fā)現(xiàn)了硅基自旋量子比特弛豫的強(qiáng)各向異性:通過改變外加磁場與硅片晶向的相對方向,可以將自旋量子比特壽命提高兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。硅基自旋量子比特以其超長的量子退相干時(shí)間,以及與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝技術(shù)兼容的高可擴(kuò)展性,成為量子計(jì)算研究的核心方向之一。近幾年,基于硅平面晶體管（Si MOS）和 

【文章來源】：石河子科技. 2020,(04)

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