聚集態(tài)下熱活化延遲熒光分子發(fā)光機(jī)理的理論研究
發(fā)布時(shí)間:2021-03-29 06:10
近年來(lái),熱活化延遲熒光(TADF)分子材料備受關(guān)注,并被廣泛應(yīng)用到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)中。TADF分子的特點(diǎn)是:第一單重激發(fā)態(tài)(S1)和第一三重激發(fā)態(tài)(T1)之間的能差較小,電致發(fā)光過(guò)程中,三重態(tài)激子能有效地上轉(zhuǎn)換為單重態(tài)激子,從而實(shí)現(xiàn)接近100%的激子利用率,極大地提高了OLED的量子效率。雖然TADF分子材料近年來(lái)獲得迅速發(fā)展,但其性能仍不能滿(mǎn)足實(shí)際應(yīng)用需求。因此,理論研究TADF分子電致發(fā)光機(jī)制有利于人們更好地理解其結(jié)構(gòu)-性質(zhì)關(guān)系,為設(shè)計(jì)高效電致發(fā)光分子提供參考。由于TADF分子在器件中主要處于聚集態(tài),為此,開(kāi)展聚集態(tài)下TADF分子發(fā)光機(jī)理的研究,有助于人們更好地理解分子在器件中的發(fā)光性質(zhì)及聚集對(duì)TADF分子發(fā)光性質(zhì)的影響,為提高器件中TADF分子的發(fā)光性能提供參考。本論文利用量子力學(xué)與分子力學(xué)(QM/MM)結(jié)合的方法,深入研究聚集態(tài)下TADF分子基態(tài)(S0)及激發(fā)態(tài)性質(zhì);基于電子結(jié)構(gòu)計(jì)算及振動(dòng)分析,利用振動(dòng)關(guān)聯(lián)函數(shù)等方法,計(jì)算TADF分子的衰減速率。通過(guò)與溶劑下TADF分子發(fā)光性質(zhì)的比較及對(duì)分子間弱相互作用的分析,揭示了聚集誘導(dǎo)發(fā)光增強(qiáng)、淬滅的發(fā)光機(jī)制以及聚集態(tài)下異構(gòu)效應(yīng)...
【文章來(lái)源】:山東師范大學(xué)山東省
【文章頁(yè)數(shù)】:80 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
OLED應(yīng)用實(shí)例
圖 1.2 OLED 器件結(jié)構(gòu)[10]件的發(fā)光機(jī)制可分為以下三個(gè)過(guò)程:電荷注入、電荷傳輸、激子。首先,當(dāng)給 OLED 施加一個(gè)正向外加偏壓,經(jīng)由陽(yáng)極和陰極有機(jī)功能層的界面勢(shì)壘[10],分別輸入空穴傳輸層的 HOMO 能O 能級(jí)。其次,電荷在外部正向偏壓的驅(qū)動(dòng)下相向運(yùn)輸,傳送層,由于兩層的勢(shì)壘差,使得截面會(huì)有電荷的積累[11]。最后,引在有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)分子內(nèi)復(fù)合后形成激子,由于激發(fā)態(tài)的輻射躍遷與無(wú)輻射躍遷,即以光和熱的形式釋放出能量進(jìn)而回象[12]。
圖 1.2 OLED 器件結(jié)構(gòu)[10]ED 器件的發(fā)光機(jī)制可分為以下三個(gè)過(guò)程:電荷注入、電荷傳輸、激子復(fù)合3 所示。首先,當(dāng)給 OLED 施加一個(gè)正向外加偏壓,經(jīng)由陽(yáng)極和陰極產(chǎn)生會(huì)克服有機(jī)功能層的界面勢(shì)壘[10],分別輸入空穴傳輸層的 HOMO 能級(jí)和 LUMO 能級(jí)。其次,電荷在外部正向偏壓的驅(qū)動(dòng)下相向運(yùn)輸,傳送至空子傳輸層,由于兩層的勢(shì)壘差,使得截面會(huì)有電荷的積累[11]。最后,當(dāng)電庫(kù)倫吸引在有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)分子內(nèi)復(fù)合后形成激子,由于激發(fā)態(tài)的不穩(wěn)子通過(guò)輻射躍遷與無(wú)輻射躍遷,即以光和熱的形式釋放出能量進(jìn)而回到基發(fā)光現(xiàn)象[12]。
本文編號(hào):3107056
【文章來(lái)源】:山東師范大學(xué)山東省
【文章頁(yè)數(shù)】:80 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
OLED應(yīng)用實(shí)例
圖 1.2 OLED 器件結(jié)構(gòu)[10]件的發(fā)光機(jī)制可分為以下三個(gè)過(guò)程:電荷注入、電荷傳輸、激子。首先,當(dāng)給 OLED 施加一個(gè)正向外加偏壓,經(jīng)由陽(yáng)極和陰極有機(jī)功能層的界面勢(shì)壘[10],分別輸入空穴傳輸層的 HOMO 能O 能級(jí)。其次,電荷在外部正向偏壓的驅(qū)動(dòng)下相向運(yùn)輸,傳送層,由于兩層的勢(shì)壘差,使得截面會(huì)有電荷的積累[11]。最后,引在有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)分子內(nèi)復(fù)合后形成激子,由于激發(fā)態(tài)的輻射躍遷與無(wú)輻射躍遷,即以光和熱的形式釋放出能量進(jìn)而回象[12]。
圖 1.2 OLED 器件結(jié)構(gòu)[10]ED 器件的發(fā)光機(jī)制可分為以下三個(gè)過(guò)程:電荷注入、電荷傳輸、激子復(fù)合3 所示。首先,當(dāng)給 OLED 施加一個(gè)正向外加偏壓,經(jīng)由陽(yáng)極和陰極產(chǎn)生會(huì)克服有機(jī)功能層的界面勢(shì)壘[10],分別輸入空穴傳輸層的 HOMO 能級(jí)和 LUMO 能級(jí)。其次,電荷在外部正向偏壓的驅(qū)動(dòng)下相向運(yùn)輸,傳送至空子傳輸層,由于兩層的勢(shì)壘差,使得截面會(huì)有電荷的積累[11]。最后,當(dāng)電庫(kù)倫吸引在有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)分子內(nèi)復(fù)合后形成激子,由于激發(fā)態(tài)的不穩(wěn)子通過(guò)輻射躍遷與無(wú)輻射躍遷,即以光和熱的形式釋放出能量進(jìn)而回到基發(fā)光現(xiàn)象[12]。
本文編號(hào):3107056
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