發(fā)布時間：2021-02-07 16:07

　　在石墨烯被報道其內(nèi)部含有獨特的層狀結(jié)構(gòu)以后,具有類似結(jié)構(gòu)的IV-VI族二維層狀半導(dǎo)體材料吸引了人們廣泛的研究興趣。硫化亞錫（Sn S）作為IVVI族化合物中極具代表性的半導(dǎo)體材料之一,引發(fā)了科學(xué)家們的研究熱潮。本文選取應(yīng)用直流電弧等離子體放電方法合成的少層Sn S納米片作為研究對象,通過X射線衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）對樣品在常壓時的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了表征。通過對其高壓原位拉曼光譜（Raman spectroscopy）和高壓同步輻射X射線衍射光譜的分析,研究了Sn S納米片在高壓下的結(jié)構(gòu)性質(zhì)。通過高壓原位室溫電阻率、高壓原位變溫電阻率以及高壓原位Hall效應(yīng)的測量,對其在高壓下的電輸運性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。探索壓力對Sn S納米片結(jié)構(gòu)及電輸運性質(zhì)的調(diào)控作用。具體的研究成果如下:1、我們通過直流電弧等離子體放電方法成功合成了少層Sn S納米片。利用SEM和TEM對Sn S納米片的形貌進(jìn)行了表征,得知Sn S納米片樣品的平均長度和寬度為400-500nm,平均厚度為20-30nm。利用X射線衍射技術(shù)對其常壓結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,結(jié)果表明Sn S納米片為正交... 

【文章來源】：吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

具有不同形態(tài)的納米材料：(a)無孔Pb納米顆粒(0D)

和熔點：材料的彈性模量與原子或分子間的鍵間強材料的熔點和彈性模量越高，材料的彈性性質(zhì)通常如果溫度升高，原子間的平均間距增加，彈性模）的大量增加可以等同于具有較高的表觀溫度。然只有在空位濃度明顯較高時才會表現(xiàn)出來。由于納材料，因此彈性模量較低。納米材料的楊氏模量比.2 所示[14]。納米材料的表面和晶界區(qū)域較大，鍵能的熔化焓和熔化溫度。例如，直徑為 2.5nm 的 CdS而體材料的熔點約為 1675K[14]。同樣，單壁碳納米材料的熔點為 3800K[14]。ertiessionc propertiesResistivity increased by 3 timesHigherImproved electrocatalytic activities for hydro

(a)、(b)、(c)、(d)、(e)和(f)分別代表 Bi2Se3、MoO3、h-BN、FeOCl 及 Ti2Cl2二維層狀材料的空間結(jié)構(gòu)圖[15]金屬硫化物概況及研究背景去幾年里，隨著第一個晶體管以及在單層 MoS2中強光致發(fā)維過渡金屬硫化物（Two-dimensional transition metal dichal引起了科學(xué)家們新的研究熱潮。實際上 TMDCs 具有非常悠早在 1923 年，Linus Pauling 就確定了 TMDCs 的結(jié)構(gòu)[31]。到末，大約知道有 60 種 TMDCs，其中至少有 40 個具有層狀Robert Frindt 首次用膠帶法得到超薄層的 MoS2[33]，直到 19 MoS2[34]。Reshef Tenne 等人在無機富勒烯和納米管方面做出碳納米管研究的發(fā)展齊頭并進(jìn)，自發(fā)現(xiàn) WS2納米管和嵌套顆

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]拉曼光譜的發(fā)現(xiàn)和最近的發(fā)展[J]. 吳征鎧.  光譜學(xué)與光譜分析. 1983(02)

博士論文
[1]高壓下SnS，SnTe，In2Se3及Alq3的結(jié)構(gòu)和電輸運性質(zhì)研究[D]. 柯峰.吉林大學(xué) 2015
[2]高壓下半導(dǎo)體的載流子行為[D]. 胡廷靜.吉林大學(xué) 2011



本文編號：3022476