在石墨烯被報(bào)道其內(nèi)部含有獨(dú)特的層狀結(jié)構(gòu)以后,具有類似結(jié)構(gòu)的IV-VI族二維層狀半導(dǎo)體材料吸引了人們廣泛的研究興趣。硫化亞錫（Sn S）作為IVVI族化合物中極具代表性的半導(dǎo)體材料之一,引發(fā)了科學(xué)家們的研究熱潮。本文選取應(yīng)用直流電弧等離子體放電方法合成的少層Sn S納米片作為研究對象,通過X射線衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）對樣品在常壓時(shí)的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了表征。通過對其高壓原位拉曼光譜（Raman spectroscopy）和高壓同步輻射X射線衍射光譜的分析,研究了Sn S納米片在高壓下的結(jié)構(gòu)性質(zhì)。通過高壓原位室溫電阻率、高壓原位變溫電阻率以及高壓原位Hall效應(yīng)的測量,對其在高壓下的電輸運(yùn)性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。探索壓力對Sn S納米片結(jié)構(gòu)及電輸運(yùn)性質(zhì)的調(diào)控作用。具體的研究成果如下:1、我們通過直流電弧等離子體放電方法成功合成了少層Sn S納米片。利用SEM和TEM對Sn S納米片的形貌進(jìn)行了表征,得知Sn S納米片樣品的平均長度和寬度為400-500nm,平均厚度為20-30nm。利用X射線衍射技術(shù)對其常壓結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,結(jié)果表明Sn S納米片為正交... 

【文章來源】：吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

具有不同形態(tài)的納米材料：(a)無孔Pb納米顆粒(0D)

和熔點(diǎn)：材料的彈性模量與原子或分子間的鍵間強(qiáng)材料的熔點(diǎn)和彈性模量越高，材料的彈性性質(zhì)通常如果溫度升高，原子間的平均間距增加，彈性模）的大量增加可以等同于具有較高的表觀溫度。然只有在空位濃度明顯較高時(shí)才會表現(xiàn)出來。由于納材料，因此彈性模量較低。納米材料的楊氏模量比.2 所示[14]。納米材料的表面和晶界區(qū)域較大，鍵能的熔化焓和熔化溫度。例如，直徑為 2.5nm 的 CdS而體材料的熔點(diǎn)約為 1675K[14]。同樣，單壁碳納米材料的熔點(diǎn)為 3800K[14]。ertiessionc propertiesResistivity increased by 3 timesHigherImproved electrocatalytic activities for hydro

(a)、(b)、(c)、(d)、(e)和(f)分別代表 Bi2Se3、MoO3、h-BN、FeOCl 及 Ti2Cl2二維層狀材料的空間結(jié)構(gòu)圖[15]金屬硫化物概況及研究背景去幾年里，隨著第一個(gè)晶體管以及在單層 MoS2中強(qiáng)光致發(fā)維過渡金屬硫化物（Two-dimensional transition metal dichal引起了科學(xué)家們新的研究熱潮。實(shí)際上 TMDCs 具有非常悠早在 1923 年，Linus Pauling 就確定了 TMDCs 的結(jié)構(gòu)[31]。到末，大約知道有 60 種 TMDCs，其中至少有 40 個(gè)具有層狀Robert Frindt 首次用膠帶法得到超薄層的 MoS2[33]，直到 19 MoS2[34]。Reshef Tenne 等人在無機(jī)富勒烯和納米管方面做出碳納米管研究的發(fā)展齊頭并進(jìn)，自發(fā)現(xiàn) WS2納米管和嵌套顆

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]拉曼光譜的發(fā)現(xiàn)和最近的發(fā)展[J]. 吳征鎧.  光譜學(xué)與光譜分析. 1983(02)

博士論文
[1]高壓下SnS，SnTe，In2Se3及Alq3的結(jié)構(gòu)和電輸運(yùn)性質(zhì)研究[D]. 柯峰.吉林大學(xué) 2015
[2]高壓下半導(dǎo)體的載流子行為[D]. 胡廷靜.吉林大學(xué) 2011



本文編號：3022476