發(fā)布時(shí)間：2021-01-23 08:42

　　隨著等離子體技術(shù)在材料加工、微納電子器件制造、環(huán)境污染物處理、醫(yī)學(xué)及生物等多個(gè)領(lǐng)域應(yīng)用的快速發(fā)展,作為推動(dòng)其他高新技術(shù)快速發(fā)展的重要手段,低溫等離子體技術(shù)得到人們的極大關(guān)注,在不斷發(fā)展、創(chuàng)新。根據(jù)低溫等離子體理論,放電等離子體密度與放電驅(qū)動(dòng)頻率之間滿(mǎn)足n?f2的關(guān)系,為了有效提高等離子體密度,高頻、甚高頻驅(qū)動(dòng)放電產(chǎn)生低溫等離子體的技術(shù)得到高度關(guān)注,并在硅、碳薄膜材料及納米結(jié)構(gòu)的制備中得到應(yīng)用。甚高頻磁控濺射（VHF-MS）是重要的甚高頻等離子體技術(shù)之一,由于離子性能決定著靶材料濺射和材料生長(zhǎng)兩方面的性能,因此,離子性能是濺射等離子體的重要特性。而離子行為與放電性能和靶材性質(zhì)有關(guān),因此,本論文開(kāi)展了多種靶材（Ag、Cu、Al、C、Si靶）的60MHz甚高頻濺射放電特性和離子性能研究。論文采用60MHz的甚高頻作為驅(qū)動(dòng)頻率,13.56MHz作為對(duì)比頻率,研究分析了源輸入功率和真實(shí)放電功率之間的關(guān)系、真實(shí)放電功率的耗散、放電阻抗特性和放電I-V特性,并研究了離子能量分布特性、離子能量和通量密度特性,分析了不同靶材對(duì)濺射特性和離子性能的影響。研究結(jié)果表明:（1）真實(shí)放電功率隨入射功率的增大呈線... 

【文章來(lái)源】：蘇州大學(xué)江蘇省

【文章頁(yè)數(shù)】：64 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

SEM下顯示的蜂窩結(jié)構(gòu)

沉積的多晶硅柵結(jié)構(gòu)REM截面圖

圖 1-3 膜厚均勻性[6]采用甚高頻 (VHF: 70MHz)等離子體增強(qiáng)的熱絲VD）開(kāi)展了低溫制備碳納米管（CNT）的研究。的射頻(RF: 13.56MHz)放電來(lái)產(chǎn)生等離子體，可以

【參考文獻(xiàn)】：
碩士論文
[1]射頻、甚高頻磁控濺射沉積硅薄膜的研究[D]. 何海杰.蘇州大學(xué) 2015
[2]甚高頻磁控濺射放電等離子體特性的研究[D]. 黃福培.蘇州大學(xué) 2014



本文編號(hào)：2994913