過渡金屬原子摻雜單層WS 2 的第一性原理研究
發(fā)布時(shí)間:2021-01-11 13:18
本文采用基于密度泛函理論的第一性原理方法,研究了單個(gè)或兩個(gè)相同過渡金屬TM原子Mn,Fe,Co和Ni摻雜WS2體系的幾何結(jié)構(gòu)、電子特性和磁特性,結(jié)果表明,單個(gè)Mn,Fe,Co和Ni摻雜的單層WS2體系是總磁矩分別為1、2、3、4 μB且分別具有較小的自旋向下帶隙1.262、1.154、1.407和1.073 eV的HM鐵磁體。通過對(duì)比體系的形成能Eform,我們發(fā)現(xiàn)在富S條件下更容易將Mn,Fe,Co或Ni原子摻雜到單層WS2中。此外,Mn,Fe,Co和Ni摻雜體系的形成能依次增加,表明Mn摻雜的單層WS2體系比Fe,Co,Ni摻雜的單層WS2體系穩(wěn)定。對(duì)于兩個(gè)相同的TM原子Mn,Fe,Co,Ni分別在第一(0,1),第二(0,2)和第三(0,3)近鄰陽離子處摻雜的WS2體系,除了兩個(gè)Ni原子在(0,1),(0,2)和(0,3)處摻雜的體系分別是AFM,FM,FM金屬,其他體系都是FM鐵磁體。此外,Mn,Fe,Co,Ni(除了(0,1)摻雜)替換同一位置體...
【文章來源】:陜西師范大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:55 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2-1純單層WS2?(a),單個(gè)和兩個(gè)相同過渡金屬原子X?(X=Mn,?Fe,?Co,?Ni)分別替換(0),(0,1),??(0,2)和(0,3)處W原子的俯視圖和左視圖
EF?is?set?at?zero?energy?and?indicated?by?horizontal?red?solid?lines.??圖?2-2(b),(c),?(d),(e)分別給出?了單個(gè)?X(X=Mn,Fe,Co,?Ni)摻雜單層?WS2??體系的自旋極化能帶結(jié)構(gòu)圖,并與圖2-2(a)單層WS2體系的能帶結(jié)構(gòu)圖進(jìn)行了比??較。從圖2-2?(a)中我們可以看到,對(duì)于未摻雜的單層WS2體系,自旋向上和自旋??向下軌道是完全對(duì)稱的,并具有1.820?eV的直接帶隙,因此體現(xiàn)出非磁性半導(dǎo)體??特性,與之前的理論研究一致[68]。圖2-2?(b)給出了單個(gè)Mn摻雜的單層WS2體系,??在自旋向上和自旋向下的軌道中,都出現(xiàn)了一些雜質(zhì)帶。特別是在自旋向上軌道??中,有少量雜質(zhì)帶穿過費(fèi)米能級(jí)從而體現(xiàn)出金屬特性,而自旋向下軌道仍保持半??8??
?導(dǎo)體特性,但帶隙減小到1.262?eV,表明單個(gè)Mn摻雜的單層WS2體系是HM鐵??磁體。圖2-2?(c),?(d),(e)表明Fe,?Co,?Ni摻雜的單層WS2體系也是HM鐵磁體,??圖2-3顯示了單個(gè)X(X=Mn,Fe,Co,?Ni)摻雜單層WS2體系的總態(tài)密度??TDOS(第一行)和X-3d?(第四行)及其投影到第一近鄰S-3p?(第二行)和第二近鄰??W-5d?(第三行)軌道上的部分態(tài)密度PDOS。(a)單層WS2,?(b)?Mn摻雜,(c)?Fe摻雜,??(d)Co摻雜,(e)Ni摻雜。盡管未摻雜的單層WS2體系是非磁性半導(dǎo)體,但X(X=Mn,??Fe,Co,?Ni)摻雜后的單層WS2體系都因?yàn)樽孕蛏虾妥孕蛳萝壍辣徊痪鶆虻??占據(jù)而具有磁性。詳細(xì)地說,對(duì)于四個(gè)摻雜系統(tǒng),費(fèi)米能級(jí)穿過自旋向上雜質(zhì)態(tài),??這意味著導(dǎo)電電子僅存在于自旋向上軌道。此外,我們從PDOS中發(fā)現(xiàn),這種半??占據(jù)的自旋向上雜質(zhì)態(tài)主要是由X-3d軌道與較少的誘導(dǎo)出的第一近鄰S-3p軌道??和第二近鄰W-5d軌道貢獻(xiàn)。??(a)?Pristine?(b)?Mn?doped?(c)?Fe?doped?(d)?Co?doped?(e)?Ni?doped??-;;V?V?HyW?vVi?MatW?V??
本文編號(hào):2970837
【文章來源】:陜西師范大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:55 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2-1純單層WS2?(a),單個(gè)和兩個(gè)相同過渡金屬原子X?(X=Mn,?Fe,?Co,?Ni)分別替換(0),(0,1),??(0,2)和(0,3)處W原子的俯視圖和左視圖
EF?is?set?at?zero?energy?and?indicated?by?horizontal?red?solid?lines.??圖?2-2(b),(c),?(d),(e)分別給出?了單個(gè)?X(X=Mn,Fe,Co,?Ni)摻雜單層?WS2??體系的自旋極化能帶結(jié)構(gòu)圖,并與圖2-2(a)單層WS2體系的能帶結(jié)構(gòu)圖進(jìn)行了比??較。從圖2-2?(a)中我們可以看到,對(duì)于未摻雜的單層WS2體系,自旋向上和自旋??向下軌道是完全對(duì)稱的,并具有1.820?eV的直接帶隙,因此體現(xiàn)出非磁性半導(dǎo)體??特性,與之前的理論研究一致[68]。圖2-2?(b)給出了單個(gè)Mn摻雜的單層WS2體系,??在自旋向上和自旋向下的軌道中,都出現(xiàn)了一些雜質(zhì)帶。特別是在自旋向上軌道??中,有少量雜質(zhì)帶穿過費(fèi)米能級(jí)從而體現(xiàn)出金屬特性,而自旋向下軌道仍保持半??8??
?導(dǎo)體特性,但帶隙減小到1.262?eV,表明單個(gè)Mn摻雜的單層WS2體系是HM鐵??磁體。圖2-2?(c),?(d),(e)表明Fe,?Co,?Ni摻雜的單層WS2體系也是HM鐵磁體,??圖2-3顯示了單個(gè)X(X=Mn,Fe,Co,?Ni)摻雜單層WS2體系的總態(tài)密度??TDOS(第一行)和X-3d?(第四行)及其投影到第一近鄰S-3p?(第二行)和第二近鄰??W-5d?(第三行)軌道上的部分態(tài)密度PDOS。(a)單層WS2,?(b)?Mn摻雜,(c)?Fe摻雜,??(d)Co摻雜,(e)Ni摻雜。盡管未摻雜的單層WS2體系是非磁性半導(dǎo)體,但X(X=Mn,??Fe,Co,?Ni)摻雜后的單層WS2體系都因?yàn)樽孕蛏虾妥孕蛳萝壍辣徊痪鶆虻??占據(jù)而具有磁性。詳細(xì)地說,對(duì)于四個(gè)摻雜系統(tǒng),費(fèi)米能級(jí)穿過自旋向上雜質(zhì)態(tài),??這意味著導(dǎo)電電子僅存在于自旋向上軌道。此外,我們從PDOS中發(fā)現(xiàn),這種半??占據(jù)的自旋向上雜質(zhì)態(tài)主要是由X-3d軌道與較少的誘導(dǎo)出的第一近鄰S-3p軌道??和第二近鄰W-5d軌道貢獻(xiàn)。??(a)?Pristine?(b)?Mn?doped?(c)?Fe?doped?(d)?Co?doped?(e)?Ni?doped??-;;V?V?HyW?vVi?MatW?V??
本文編號(hào):2970837
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