苯代物的單光子雙電離研究
【學(xué)位單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:O56
【部分圖文】:
的新的物理機(jī)制,具有十分重要的研究意義。同步輻射光為光源,結(jié)合飛行時(shí)間質(zhì)譜,研究苯取代物(單光子雙電離過(guò)程。本章中我們首先概述原子分子電離、子電離研究以及苯和苯的取代物雙電離研究現(xiàn)狀等。子電離離所需要的能量方式來(lái)講,原子分子電離可以分為以下幾電離 (collisional ionization)是指能量足夠大的光子、電子、離子撞擊氣體中的分子或子中的價(jià)電子釋放出來(lái)而成為陽(yáng)離子的過(guò)程。如圖 1.1 所測(cè)量的時(shí)間和空間尺度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于單次碰撞的時(shí)空尺度,因入射粒子在 t=-∞開(kāi)始發(fā)射并通過(guò)散射軌道在 t=0 時(shí)刻和靶
) 單電離(Single Ionization)、雙電離(Double Ionization)及多次電離(MultipleIonization)如圖 1.2 所示,電子在吸收光子能量后脫離原本所在的電子軌道,形成一個(gè)于基態(tài)的離子和一個(gè)自由電子,圖中帶陰影的實(shí)線表示原子分子的電離限Ionization Energy, IE)[18]。如果一個(gè)電子脫離電子軌道則為單電離,對(duì)應(yīng)的能閾值為一次電離限。兩個(gè)電子脫離則是雙電離,對(duì)應(yīng)的能量閾值為二次電離限,個(gè)電子脫離則是多次電離。原子的一次電離限一般在 20eV 以上,而分子的一電離限在幾個(gè) eV 到十幾個(gè) eV 之間,多原子分子二次電離限一般是其一次電限的 2 到 3 倍,多次電離涉及的能量則更高。分子的單電離幾率遠(yuǎn)大于多次電幾率,目前對(duì)于分子雙電離及多次電離的研究遠(yuǎn)沒(méi)有單電離充分。而分子多電涉及到更多電子關(guān)聯(lián)、電離解離通道競(jìng)爭(zhēng)及能量分配等,其電離物理機(jī)制及蘊(yùn)的新現(xiàn)象已成為近年來(lái)的研究熱點(diǎn)。
電子在低勢(shì)壘方向上可能通過(guò)隧穿進(jìn)入電離態(tài)而被電離,即為隧穿電離(Tunneling Ionization,TI)[25](圖1.3(c))。超短強(qiáng)激光與原子分子相互作用中,隧穿電離是一種基本的物理過(guò)程,并由此產(chǎn)生許多新的物理現(xiàn)象,比如:非序列雙電離(Non-sequential DoubleIonization, NSDI)[26],閾上電離(Above threshold Ionization,ATI)[27],高次諧波的產(chǎn)生(High-Harmonic Generation, HHG)[28]等等。(a) (b) (c)圖 1.3 單光子電離(a),多光子電離(b)和隧穿電離(c)示意圖
【參考文獻(xiàn)】
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