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極性分子表面濾波、聚束與存儲(chǔ)的理論研究

發(fā)布時(shí)間:2020-10-22 03:10
   冷分子領(lǐng)域經(jīng)過(guò)二十年的發(fā)展,取得了很多令人矚目的成就,并在物理、化學(xué)等諸多學(xué)科中有非常重要的應(yīng)用。一系列制備和操控冷分子的技術(shù)也應(yīng)運(yùn)而生,例如分子的靜電速度濾波、斯塔克減速、塞曼減速、緩沖氣體冷卻和光締合等等。本文主要研究了冷分子的制備和操控。文中首先介紹了一種對(duì)極性分子進(jìn)行表面速度濾波、聚束和存儲(chǔ)的組合方案。該方案包含三部分,分別是靜電速度濾波器、聚束器和存儲(chǔ)環(huán)。射流分子束經(jīng)過(guò)靜電速度濾波后變?yōu)槁俜肿邮H缓舐俜肿邮乃俣确植急挥梢涣须姌O組成的聚束器壓窄。最后擁有窄速度分布的慢速分子束被存儲(chǔ)起來(lái)。以ND_3分子為例,我們理論上分析了該方案的可行性,并采用數(shù)值模擬進(jìn)行了驗(yàn)證。結(jié)果顯示,冷分子束可以從分子熱源產(chǎn)生,被裝載進(jìn)存儲(chǔ)環(huán)后可以飛行10圈。我們的方案集冷分子的制備和存儲(chǔ)于一體,為基礎(chǔ)研究提供了新的契機(jī),并在量子信息科學(xué)和冷碰撞等領(lǐng)域有許多有趣的應(yīng)用。接著文中提出了一種提高極性分子聚束效率的方案。靜電聚束器在某些位置存在電場(chǎng)缺陷,導(dǎo)致分子在此處橫向發(fā)散,分子損失較多,聚束效率較低。在靜電聚束器的基礎(chǔ)上,再施加靜磁場(chǎng),增強(qiáng)對(duì)分子的橫向束縛,就可以減少分子損失,從而提高聚束效率。我們采用永磁體NdFe35產(chǎn)生靜磁場(chǎng),其產(chǎn)生的磁阱深度高達(dá)0.5特斯拉。OH自由基的蒙特卡羅模擬結(jié)果表明,在靜電場(chǎng)與靜磁場(chǎng)的復(fù)合場(chǎng)中,聚束15級(jí)后的效率提升為原來(lái)的2.5倍。
【學(xué)位單位】:華東師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:O561
【部分圖文】:

分布圖,四極桿,實(shí)驗(yàn)裝置圖,等高線


Rieger 等人在 2006 年實(shí)現(xiàn)了重水(D2O)分子的有效導(dǎo)引[22]。他們利用非均勻電場(chǎng)從熱源中過(guò)濾出慢速的 D2O 分子,相應(yīng)的平動(dòng)溫度為 1 K。D2O 分子在電圖 1.1 (a)實(shí)驗(yàn)裝置圖,(b)四極桿橫截面的電場(chǎng)等高線分布圖。

實(shí)驗(yàn)裝置圖,束源,譜儀,射流


實(shí)驗(yàn)裝置圖

電壓圖,電壓,原理圖,電場(chǎng)


原理如圖1.3 所示。在兩個(gè)類偶極子結(jié)構(gòu)之間,電場(chǎng)以角頻率 快速切換。在靠近中心的地方,電場(chǎng)可以表示為: = ( ) ( ), (1-1)圖 1.3 四根導(dǎo)線裝置的原理圖,電壓為 5 kV,E0= 35 kV/cm, = 2.3×103kV/cm3。一對(duì)相反電極的電壓來(lái)回切換,如圖(a)所示。產(chǎn)生時(shí)變電場(chǎng)的結(jié)構(gòu)在(b)中 1 和 2 之間交替變換,重復(fù)頻率在 kHz 范圍。
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本文編號(hào):2851014

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