【摘要】：本文通過非平衡格林函數(shù)方法研究了Weyl半金屬-超導(dǎo)體系的輸運性質(zhì),采用的模型是Weyl半金屬-超導(dǎo)體兩端口系統(tǒng),主要計算了系統(tǒng)的Andreev反射系數(shù),研究了Weyl半金屬拓撲邊界態(tài)對系統(tǒng)Andreev反射的影響。本文研究了在二維情況特定參數(shù)以及三維情況下,磁性Weyl半金屬-超導(dǎo)體系的Andreev反射,結(jié)果表明系統(tǒng)均發(fā)生Andreev反射現(xiàn)象。當(dāng)電子沿Z方向入射時,由于Weyl半金屬邊界態(tài)電子在Z方向上運動速度為零,所以此時只有體態(tài)參與系統(tǒng)Andreev反射,與Weyl半金屬拓撲邊界態(tài)無關(guān)。隨著費米面的升高,Weyl半金屬的態(tài)密度增大,參與系統(tǒng)Andreev反射的體態(tài)增多,系統(tǒng)Andreev反射增強。當(dāng)電子沿Y方向入射時,此時Weyl半金屬邊界態(tài)電子運動方向與入射電子運動方向一致,所以拓撲邊界態(tài)和體態(tài)均參與系統(tǒng)的Andreev反射。Weyl半金屬在Y方向和Z方向上的各向異性,導(dǎo)致了電子沿Y和Z方向入射時系統(tǒng)的Andreev反射強度不同。繼而研究了Weyl半金屬拓撲邊界態(tài)對系統(tǒng)Andreev反射的影響,結(jié)果表明Weyl半金屬拓撲邊界態(tài)對系統(tǒng)Andreev反射影響較大。當(dāng)Weyl半金屬拓撲邊界態(tài)消失后,系統(tǒng)Andreev反射被抑制。隨著費米能級的升高,Weyl半金屬的體態(tài)逐漸占據(jù)系統(tǒng)Andreev反射的主導(dǎo)地位,而拓撲邊界態(tài)貢獻逐漸變小。
【學(xué)位授予單位】：河北師范大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2019
【分類號】：TB303;TM26
【圖文】：

圖 1.1 Weyl 半金屬的手性異常效應(yīng)[21]圖 1.1 展示了 Weyl 半金屬的手性異常的能帶示意圖[21]。手性異�？梢院唵蔚赜昧孔訕O限下 Weyl 半金屬的第 0 個朗道能級來理解。由于朗道能級從“+”到“-”手性不同，Weyl 錐的速度方向相反。外加電場導(dǎo)致左側(cè)谷和右側(cè)谷中電子密度的不平衡，破壞了確定手性下的電子數(shù)守恒。然而，這一結(jié)果并不局限于量子極限，最近有人提出在半經(jīng)典極限下誘導(dǎo)出一個反常直流電流的觀點。Weyl 半金屬可以分為兩類：第一類 Weyl 半金屬，保持洛侖茲對稱性；第二類 Weyl 半金屬，打破洛侖茲對稱性[24]。Weyl 半金屬的 TaAs 家族在體態(tài)能帶結(jié)構(gòu)中存在理想的 Weyl 錐，屬于第一類 Weyl 半金屬，即費米面在 Weyl 點收縮成一個點。最近

圖 1.2 兩種 Weyl 半金屬的能帶圖[24] 1.2 是第一類和第二類 Weyl 半金屬的能帶圖[24]。(a)圖是第一類 Weyl 半結(jié)構(gòu)示意圖，具有點狀費米面。即，當(dāng)費米能足夠接近 Weyl 點時費米yl 點處縮小到零。(b)圖是第二類 Weyl 半金屬能帶結(jié)構(gòu)示意圖，Weyl 點在電子口袋和空穴口袋的接觸點上�；疑钠矫鎸�(yīng)于費米能級的位

費米弧的原理圖

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 瞿雄偉,吳培熙,錢百年;半金屬摩阻材料的研究[J];河北工業(yè)大學(xué)學(xué)報;1997年00期

2 ;多功能半金屬納米生物材料研究獲新進展[J];實驗室研究與探索;2017年07期

3 許越;半金屬摩阻材料的研究及應(yīng)用[J];炭素;2001年01期

4 張克武;張宇英;;分子熱力學(xué)前沿基礎(chǔ)研究領(lǐng)域中的新理論8:有機分子的半金屬結(jié)構(gòu)理論與純質(zhì)臨界溫度理論方程[J];黑龍江大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報;2005年06期

5 萬賢綱;;拓撲Weyl半金屬簡介[J];物理;2015年07期

6 王躍,張偉剛,楊翔鵬,劉艷格,劉志國,趙啟大,董孝義;光纖布拉格光柵的半金屬管封裝及撓度實驗研究[J];傳感技術(shù)學(xué)報;2002年03期

7 王志學(xué)，丁瑞芳;半金屬摩阻材料的研制及應(yīng)用[J];汽車工藝與材料;1996年05期

8 毛麒瑞;半金屬走向高科技領(lǐng)域[J];金屬世界;1996年01期

9 王進福,韋永德,許越;稀土對半金屬摩阻材料性能的影響[J];高技術(shù)通訊;2003年06期

10 許越,王進福,金為國;擴滲稀土對半金屬摩阻材料耐腐蝕性能的影響[J];炭素技術(shù);2003年01期

相關(guān)會議論文 前5條

1 顧澄中;施美玲;林永渭;吳敘勤;;半金屬摩阻復(fù)合材料[A];第十屆玻璃鋼/復(fù)合材料學(xué)術(shù)年會論文集[C];1993年

2 武志堅;王靜;;反鐵磁半金屬材料理論研究[A];中國化學(xué)會第28屆學(xué)術(shù)年會第13分會場摘要集[C];2012年

3 姚曉靜;袁士俊;王金蘭;;銪及硼摻雜的環(huán)辛四烯配體組成的三明治納米線及其在Ge(001)襯底上的電子結(jié)構(gòu)的第一性原理研究[A];中國化學(xué)會第30屆學(xué)術(shù)年會摘要集-第四十分會：納米體系理論與模擬[C];2016年

4 吳孔平;顧書林;朱順明;;Ga和Mn共摻ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性[A];第十五屆全國化合物半導(dǎo)體材料，微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會議論文集[C];2008年

5 李治林;陳洪祥;金士鋒;郭麗偉;陳小龍;;外爾半金屬TaAs家族大尺寸單晶生長與形貌控制[A];中國晶體學(xué)會第六屆學(xué)術(shù)年會暨會員代表大會論文摘要集——多晶（粉晶）衍射分會[C];2016年

相關(guān)重要報紙文章 前1條

1 記者 桂運安;中科大發(fā)現(xiàn)新型半金屬磁性材料[N];安徽日報;2014年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 呂佰晴;拓撲半金屬的角分辨光電子能譜研究[D];中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院物理研究所);2018年

2 趙鵬露;半金屬體系相互作用效應(yīng)的重整化群分析[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2019年

3 潘海洋;拓撲半金屬Cd_3As_2納米線和ZrSiSe塊體的量子輸運研究[D];南京大學(xué);2017年

4 邵德喜;若干拓撲半金屬的第一性原理研究[D];南京大學(xué);2018年

5 付東之;WTe_2、PtTe_2等第二類拓撲半金屬的輸運性質(zhì)研究[D];南京大學(xué);2018年

6 高文帥;拓撲半金屬PtBi_2體系的磁輸運特性研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2018年

7 王永建;一些新型拓撲半金屬的輸運行為研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2018年

8 孫浩;拓撲非平庸材料以及鐵磁半金屬的第一性原理研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2016年

9 陳俊;d~0半金屬磁性和Josephson結(jié)中電特性的研究[D];華中科技大學(xué);2011年

10 李星星;自旋電子學(xué)材料和光解水催化材料的第一性原理計算與設(shè)計[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2015年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 郭春利;Weyl半金屬—超導(dǎo)體系的輸運性質(zhì)[D];河北師范大學(xué);2019年

2 石賢彪;拓撲半金屬和鐵基超導(dǎo)材料的第一性原理研究[D];河南師范大學(xué);2018年

3 龔城;二維薄膜堆垛成的三維拓撲金屬/半金屬[D];湘潭大學(xué);2018年

4 高炎;三維碳、硼網(wǎng)絡(luò)中的拓撲半金屬[D];湘潭大學(xué);2018年

5 張俊利;Weyl半金屬異質(zhì)結(jié)中的量子輸運問題的研究[D];電子科技大學(xué);2018年

6 熊楓;具有節(jié)線圈拓撲半金屬的拓撲及輸運性質(zhì)的理論研究[D];南京大學(xué);2018年

7 林信爐;Wey1半金屬的輸運性質(zhì)[D];浙江大學(xué);2016年

8 程喚齡;高自旋極化率半金屬的第一性原理研究[D];福建師范大學(xué);2009年

9 王周宇;Weyl半金屬超導(dǎo)異質(zhì)結(jié)中的電子輸運性質(zhì)[D];南京師范大學(xué);2017年

10 邢月;閃鋅礦結(jié)構(gòu)半金屬的第一性原理研究[D];燕山大學(xué);2010年

本文編號：2768566