【摘要】：高增益是微結(jié)構(gòu)氣體探測器的主要性能指標(biāo)之一,可以有效提高探測器的信號噪聲比,是微結(jié)構(gòu)氣體探測器發(fā)展的一個重要方向。本次實(shí)驗(yàn)的主要目的:驗(yàn)證了 THGEM-MICROMEGAS探測器設(shè)計(jì)方案的可行性。通常采用多個探測器級聯(lián)的工作模式得到較高的增益。本文的主要工作是設(shè)計(jì)了微感應(yīng)區(qū)THGEM的新工作模式。即將THGEM探測器的感應(yīng)區(qū)間距減小同時在感應(yīng)區(qū)加強(qiáng)電場形成THGEM和MICROMEGAS兩級放大的工作模式,從而得到較高增益,并對該設(shè)計(jì)的可行性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。實(shí)驗(yàn)中,將THGEM探測器的感應(yīng)區(qū)間距從1～2mm減小到100 μ M,同時保持THGEM上下電極處于正常工作的電壓差條件下增加THGEM下表面的電壓,使得微感應(yīng)區(qū)電場增強(qiáng)實(shí)現(xiàn)兩級放大。當(dāng)THGEM上下表面電壓差保持在600V同時微感應(yīng)區(qū)電壓差300V時,較THGEM單獨(dú)工作時信號幅度增大1.8倍,而此時微感應(yīng)區(qū)單獨(dú)構(gòu)成的MICROMEGAS探測器則無法正常工作,但是打火率相比于THGEM大大增加,增加到0.6‰,并且能量分辨變差。能量分辨變差是由于THGEM下表面電極邊沿電場強(qiáng)度相比于THGEM孔在微感應(yīng)區(qū)對應(yīng)的電場強(qiáng)度變強(qiáng)造成微感應(yīng)區(qū)電場不一致造成的。相同條件下,只增加THGEM上下表面電壓差至650V時,探測器的信號幅度又增大了 1.6倍,打火率增加到約0.9‰,但是探測器的能量分辨更加變差了。實(shí)驗(yàn)結(jié)果初步驗(yàn)證了微感應(yīng)區(qū)的THGEM探測器實(shí)現(xiàn)高增益的設(shè)計(jì)時可行的。為了解決打火率和提高探測器的能量分辨率,我們建議將THGEM的下表面電極采用不銹鋼絲網(wǎng)布代替,得到更加一致的電場強(qiáng)度,有待進(jìn)一步優(yōu)化測試。
【學(xué)位授予單位】：云南大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2019
【分類號】：O572.212
【圖文】：

ＭＷＰＣ室的結(jié)構(gòu)是在兩個陰極絲面之間放置一個陽極絲面，陽極絲面位于位逡逑兩個于陰極絲面的中心位置。陽極絲之間的典型距離為而兩個陰極面的逡逑間距為５？１５邋ｍｍ。圖２－５為ＭＷＰＣ的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖２．５，在恒定電場區(qū)產(chǎn)生逡逑的電子將向最近的陽極絲漂移，在陽極絲附近發(fā)生雪崩放大；在最靠近的陽極絲逡逑和鄰近的陽極絲上分別產(chǎn)生感應(yīng)信號。前者為負(fù)信號，而后者為正信號；在對應(yīng)逡逑的陰極絲面上也產(chǎn)生感應(yīng)信號。通過信號絲的位置和信號大小可以確定原初電離逡逑發(fā)生的位置。逡逑１０逡逑

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本文編號：2747783