基于全介電硅超材料的電磁感應(yīng)透明研究
【學(xué)位授予單位】:華東師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:O431.2
【圖文】:
[21],將原子的三個(gè)能級(jí)標(biāo)記為|1>、|2>和|3>,如圖1-1所示。圖1-1 用于EIT測(cè)量的三能級(jí)原子系統(tǒng)的不同模型(a)階梯型(b)Λ型(c)V型[22]
合光ΩC時(shí),兩個(gè)能級(jí)發(fā)生強(qiáng)烈耦合,促使激發(fā)態(tài)能級(jí)|3>劈裂成為圖1-2(b)所示的|+>和|->兩個(gè)綴飾態(tài)能級(jí)。因此,在弱探測(cè)光ΩP的作用下,原子由基態(tài)能級(jí)|1>向高能級(jí)躍遷的過(guò)程就會(huì)產(chǎn)生|1>→|+>和|1>→|->兩種可能的躍遷途徑。兩個(gè)不同的躍遷途徑之間發(fā)生了相消性的量子干涉,導(dǎo)致了原子系統(tǒng)在共振頻率處對(duì)探測(cè)光的吸收顯著減少,從而產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。圖1-2(a)Λ型三能級(jí)原子系統(tǒng)能級(jí)示意圖,(b)Λ型三能級(jí)原子系統(tǒng)對(duì)應(yīng)的綴飾態(tài)能級(jí)圖[22]另一種解釋EIT效應(yīng)的方法采用的是量子干涉的概念[22,26-28]。這種理論認(rèn)為基態(tài)能級(jí)|1>到激發(fā)態(tài)能級(jí)態(tài)|3>的躍遷可能包含兩條不同的躍遷通道,即弱探測(cè)場(chǎng)
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本文編號(hào):2735172
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