HCCI離子中電子流密度的理論研究
【圖文】:
26圖 3.1 單電子密度計算程序流程圖程序中用數(shù)組 S 來記錄單電子密度。其中,CI 表判斷模塊的程序讀取代表 I、兩行電子布居的字符串,通過兩行字符串后統(tǒng)計出不同分子軌道數(shù)目 D,并記錄這些需要計算的分子軌道波函數(shù)數(shù)據(jù)文件名(Molpro 輸出分子軌道文件按對稱性和序號起名)。判斷需要哪些分子軌道數(shù)據(jù)實際上是找出 ( ) 按(3.15-3.17)規(guī)則處理后依然無法消去的分子軌道。該模塊同時要記錄 I、J 兩行的 CI 系數(shù)。計算數(shù)組 r 則是根據(jù) D 的取值來讀取分子軌道文件數(shù)據(jù)進行計算:D = 0,r(a由 CI 矢量表第 I 行有電子布居的分子軌道數(shù)據(jù)根據(jù)式(3.15)計算而來; D=2 數(shù)組
第四章 HCCI 離子電子流密度的理論研究碘乙炔超快電荷轉(zhuǎn)移實驗背景2015 年,Karus 等小組在 SCIENCE 發(fā)表了一篇關(guān)于觀測和控制 HCCI+離子荷轉(zhuǎn)移的文章[3]。實驗上他們將碘乙炔陽離子制備到基態(tài)和第一激發(fā)態(tài)的線態(tài)上,,通過高時間分辨率的高次諧波光譜技術(shù)測量得到了兩個電子態(tài)的組合相位;理論上則模擬了準自由場和激光控制兩種條件下 HCCI+離子的電荷轉(zhuǎn),如圖 4.1(a),模擬顯示 HCCI 分子電離后產(chǎn)生的電子空穴會在 0.93 fs 內(nèi)從區(qū)域轉(zhuǎn)移到碳碳鍵區(qū)域。
【學(xué)位授予單位】:山西大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:O562
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本文編號:2658291
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