【摘要】：基于費(fèi)米狄拉克模型模擬了應(yīng)變、溫度以及摻雜對(duì)簡(jiǎn)并態(tài)鍺的直接帶自發(fā)輻射譜的影響.隨著溫度升高,更多的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中,使得鍺自發(fā)輻射譜的峰值強(qiáng)度和積分強(qiáng)度隨溫度的升高而增大.對(duì)自發(fā)輻射譜峰值強(qiáng)度的m因子進(jìn)行計(jì)算,結(jié)果表明張應(yīng)變可以顯著提高鍺自發(fā)輻射的溫度穩(wěn)定性.在相同應(yīng)變水平下,由Γ-hh躍遷引起的自發(fā)輻射譜峰值強(qiáng)度大于Γ-lh躍遷引起的自發(fā)輻射譜峰值強(qiáng)度,但二者的積分強(qiáng)度幾乎相等.此外,計(jì)算結(jié)果還證明了n型摻雜能顯著提高鍺的自發(fā)輻射強(qiáng)度.以上結(jié)果對(duì)于研究簡(jiǎn)并態(tài)半導(dǎo)體的自發(fā)輻射性質(zhì)有重要的參考意義.
[Abstract]:The effects of strain, temperature and doping on the direct band spontaneous emission spectrum of degenerate germanium are simulated based on Fermi Dirac model. With the increase of temperature, more electrons are excited into the conduction band, so that the peak intensity and integral intensity of germanium spontaneous emission spectrum increase with the increase of temperature. The m factor of the peak intensity of spontaneous emission spectrum is calculated. The results show that the tensile strain can significantly improve the temperature stability of germanium spontaneous emission. At the same strain level, the peak intensity of spontaneous emission spectrum caused by gamma-hh transition is greater than that caused by gamma-lh transition, but the integral intensity of the two is almost equal. In addition, the calculated results also show that n-type doping can significantly improve the spontaneous emission intensity of germanium. The above results have important reference significance for the study of spontaneous emission properties of degenerate semiconductors.
【作者單位】： 廈門大學(xué)物理學(xué)系協(xié)同創(chuàng)新中心半導(dǎo)體光子學(xué)研究中心;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究計(jì)劃(批準(zhǔn)號(hào):2013CB632103) 國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61474094)資助的課題~~
【分類號(hào)】：O47

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