【摘要】：本文采用第一性原理研究了Y,Zr,Nb在Zn位摻雜ZnS半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度.研究結(jié)果表明:Y,Zr,Nb摻雜體系的價(jià)帶頂與導(dǎo)帶底都在布里淵區(qū)的G點(diǎn),為直接帶隙半導(dǎo)體材料,摻雜對(duì)帶隙寬度影響不大,摻雜結(jié)構(gòu)的導(dǎo)帶向低能區(qū)移動(dòng);Y,Zr,Nb在Zn位摻雜的Zn S的費(fèi)米能級(jí)從價(jià)帶頂移至導(dǎo)帶底,說明摻雜后ZnS半導(dǎo)體材料從p型轉(zhuǎn)變?yōu)閚型,同時(shí)費(fèi)米能級(jí)處出現(xiàn)數(shù)條雜質(zhì)能級(jí);Y,Zr,Nb摻雜體系的總態(tài)密度的貢獻(xiàn)主要來源于Zn 4s、Y,Zr,Nb的4d 5s以及S 3p相互作用.
[Abstract]:In this paper, the energy band structure and density of states of Zn site doped ZnS semiconductors have been investigated by first principles. The results show that the valence band top and the bottom of the conduction band are at the G point in Brillouin region. The doping has little effect on the band gap width, and the conduction band of the doped structure moves to the low energy region. The Fermi level of Zn doped Zn S is shifted from the top of the valence band to the bottom of the conduction band, which indicates that the doped ZnS semiconductor material changes from p-type to n-type, and there are several impurity levels at Fermi level. The contribution of the total density of states to the doped system is mainly due to the 4d 5s and S 3p interaction of Zn 4s ~ (-) Y ~ (2 +) Zr ~ (2 +) NB.
【作者單位】： 重慶財(cái)經(jīng)職業(yè)學(xué)院應(yīng)用設(shè)計(jì)系;
【分類號(hào)】：O469;O47

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本文編號(hào)：2374249