【摘要】：基于氧空位在金屬氧化物內部遷移的微觀機理,利用蒙特卡羅方法建立了一種新型的可模擬金屬氧化物介質時變擊穿的模擬工具.利用建立的模擬工具研究了界面形成氧空位遷移功函數(shù)對介質層擊穿行為的影響.該工具可應用于金屬氧化物半導體晶體管柵介質擊穿研究并準確評估其可靠性.
[Abstract]:Based on the microscopic mechanism of oxygen vacancy migration in metal oxides, a new simulation tool for simulating the time-varying breakdown of metal oxide media is established by Monte Carlo method. The influence of the oxygen vacancy migration work function on the breakdown behavior of the dielectric layer has been studied by using the established simulation tool. This tool can be used to study gate dielectric breakdown of metal oxide semiconductor transistors and accurately evaluate its reliability.
【作者單位】： 北京理工大學機電學院;
【分類號】：O469

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本文編號：2307965