發(fā)布時間：2018-07-18 08:33

【摘要】：采用溶膠-凝膠(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si襯底上制備不同Pb過量(未過量、10%、15%)和引入不同厚度(0、100nm、500nm)鋯鈦酸鉛(PZT)緩沖層的鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)反鐵電薄膜,通過原子力顯微鏡、X線衍射表征分析薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明,過量10%的Pb組分有助于形成鈣鈦礦結(jié)構(gòu),獲得較大的晶粒尺寸和理想的粗糙度;100nm的PZT緩沖層的引入有利于PLZT薄膜晶化,形成較致密、結(jié)晶狀況良好的薄膜。
[Abstract]:Lead lanthanum zirconate titanate ( PLZT ) antiferroelectric thin films with different Pb ( 0 , 100 nm , 500 nm ) lead zirconate titanate ( PZT ) buffer layers were prepared by sol - gel method on Pt / Ti / SiO _ 2 / Si substrates . The microstructure of thin films was characterized by atomic force microscopy and X - ray diffraction .
【作者單位】： 中北大學(xué)儀器科學(xué)與動態(tài)測試教育部重點實驗室;中北大學(xué)電子測試技術(shù)重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(51422510,51175483,61401460)
【分類號】：O484

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本文編號：2131345