本文選題：一維光子晶體　切入點(diǎn)：硅基薄膜　出處：《發(fā)光學(xué)報(bào)》2017年10期

【摘要】：采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法,研究制備了一種基于硅基薄膜的高反射一維光子晶體。通過交替改變反應(yīng)氣體組分實(shí)現(xiàn)低折射率Si Ox層和高折射率a-Si層的交替層疊沉積,具有兩種膜層介質(zhì)折射率比大、反射率高、沉積時(shí)間短、工藝窗口寬等優(yōu)點(diǎn)。采用5周期的Si Ox層與a-Si層構(gòu)成的一維光子晶體(厚度分別為155 nm和55 nm),其禁帶范圍內(nèi)(650~1 100 nm)的平均反射率達(dá)到99.1%,高于相同波長范圍內(nèi)Ag的平均反射率(96.3%)。
[Abstract]:Radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition, A kind of high reflection one-dimensional photonic crystal based on silicon thin film was prepared. Alternating stacking deposition of low refractive index SiOx layer and high refractive index a-Si layer was realized by alternately changing the reaction gas component, which has high refractive index ratio of two kinds of films. High reflectivity, short deposition time, The average reflectivity of one-dimensional photonic crystals (with thickness of 155nm and 55nm) of SiOx layer and a-Si layer is 99.1, which is higher than that of Ag in the same wavelength range.
【作者單位】： 天津工業(yè)大學(xué)電氣工程與自動化學(xué)院電工電能天津市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室大功率半導(dǎo)體照明應(yīng)用系統(tǒng)教育部工程中心;南開大學(xué)光電子薄膜器件與技術(shù)研究所光電子薄膜器件與技術(shù)天津市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室光學(xué)信息技術(shù)科學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61176060,61404074,61504069,61377031,61605145) 天津市自然科學(xué)基金(14JCQNJC02100)資助項(xiàng)目~~
【分類號】：O734

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本文編號：1679206