本文選題：第一性原理　切入點：ZnO　出處：《原子與分子物理學(xué)報》2017年02期

【摘要】：基于第一性原理密度泛函理論,計算分析了Hf、N以不同摻雜比例摻雜ZnO(Zn_(16)O_(16))形成Zn_(15)O_(16-x_HfN_x(x=1,2,3,4)體系的結(jié)構(gòu)參數(shù)、電子結(jié)構(gòu)、Mulliken電荷布居和光學(xué)方面的性質(zhì).計算結(jié)果表明,摻雜體系晶胞體積不同程度增大;x=1時體系的費米能級上移進入導(dǎo)帶使其呈現(xiàn)n型半導(dǎo)體特征,吸收峰和反射峰紅移較小,尤其是反射峰,主要表現(xiàn)為強度的變化;但x=2,3,4體系的費米能級均在價帶頂附近,且隨摻雜比例的增大,摻雜體系的費米能級進入價帶的深度逐漸增大,N 2p態(tài)的貢獻作用也越來越顯著,使摻雜體系呈現(xiàn)p型半導(dǎo)體特征,吸收峰和反射峰均有較大的紅移,這將有利于ZnO體系在可見光領(lǐng)域的應(yīng)用.
[Abstract]:Based on the first-principles density functional theory, the structure parameters, electronic structure, Mulliken charge population and optical properties of the structure of HfNN doped ZnOO / ZnS / ZnS / S / O / S / T / S / T / S / T / S / T / S / T / HfN are calculated and analyzed based on the first-principles density functional theory (DFT). The structure parameters of the structure, the charge population and the optical properties of the electronic structure are calculated, and the results show that the structure of the structure of the structure of the structure. The Fermi energy level of doped system increases with the increase of unit cell volume to varying degrees, and the Fermi energy level moves up into the conduction band to make it appear n-type semiconductor characteristic. The red shift of absorption peak and reflection peak is smaller, especially the reflection peak, which mainly shows the change of intensity. However, the Fermi energy levels of xan2zhuan3c4 system are near the top of the valence band, and with the increase of doping ratio, the depth of Fermi level entering the valence band of doped system increases gradually, and the contribution of N 2p state is more and more obvious, which makes the doped system appear p-type semiconductor characteristic. The absorption peak and the reflection peak have a large redshift, which will be beneficial to the application of ZnO system in the visible light field.
【作者單位】： 伊犁師范學(xué)院物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;南京大學(xué)物理學(xué)院;
【基金】：國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃子課題(2012CB821503) 新疆維吾爾自治區(qū)自然科學(xué)基金青年基金(2015211C301) 新疆凝聚態(tài)物理重點學(xué)科專項經(jīng)費開放課題(2012ZDXK31) 伊犁師范學(xué)院校級科研項目(2016) 伊犁師范學(xué)院2015年度研究生科研創(chuàng)新項目(2015YSY024)
【分類號】：O471

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 李震宇;楊金龍;;新材料物性的第一性原理研究(英文)[J];中國科學(xué)院研究生院學(xué)報;2009年03期

2 高巍;朱嘉琦;武洪臣;張華芳;崔向中;;四面體非晶碳結(jié)構(gòu)建模的第一性原理模擬方法[J];功能材料;2010年S2期

3 盧金煉;曹覺先;;單個鈦原子儲氫能力和儲氫機制的第一性原理研究[J];物理學(xué)報;2012年14期

4 李培芳;包鋼;;元素氯高壓屬性的第一性原理研究[J];內(nèi)蒙古民族大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2013年01期

5 甄海龍;高海;劉紅梅;林巧文;;P-碳的電學(xué)、力學(xué)性質(zhì)的第一性原理預(yù)測[J];山西大同大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2014年01期

6 徐雷;戴振宏;王森;劉兵;孫玉明;王偉田;;氟化硼碳平面的第一性原理研究[J];物理學(xué)報;2014年10期

7 熊志華,王建敏,雷敏生;用第一性原理研究金屬銅的電子結(jié)構(gòu)[J];江西科學(xué);2005年03期

8 李青坤;王彪;王強;王銳;;碳摻雜二氧化鈦光催化性能的第一性原理研究[J];黑龍江大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報;2007年04期

9 陶輝錦;陳偉民;王赫男;;鎳晶格穩(wěn)定性的第一性原理研究[J];材料導(dǎo)報;2009年18期

10 高巍;鞏水利;朱嘉琦;馬國佳;;摻氮四面體非晶碳的第一性原理研究[J];物理學(xué)報;2011年02期

相關(guān)會議論文 前10條

1 宋慶功;褚勇;王艷波;耿德平;郭艷蕊;;有序α-(Al_(1/4)Cr_(3/4))_2O_3的結(jié)構(gòu)及其穩(wěn)定性研究[A];數(shù)學(xué)·力學(xué)·物理學(xué)·高新技術(shù)交叉研究進展——2010（13）卷[C];2010年

2 曾凡林;孫毅;;PVDF單鏈拉伸的第一性原理模擬[A];第七屆海峽兩岸工程力學(xué)研討會論文摘要集[C];2011年

3 宋慶功;王延峰;康建海;嚴慧羽;;第一性原理方法在插層化合物L(fēng)i_xTiS_2結(jié)構(gòu)與性能研究中的應(yīng)用[A];中國數(shù)學(xué)力學(xué)物理學(xué)高新技術(shù)交叉研究學(xué)會第十二屆學(xué)術(shù)年會論文集[C];2008年

4 劉紅;鄧莉;劉雷;杜建國;;MgSiO_3熔體高溫高壓狀態(tài)方程的第一性原理分子動力學(xué)研究[A];中國礦物巖石地球化學(xué)學(xué)會第14屆學(xué)術(shù)年會論文摘要專輯[C];2013年

5 周士蕓;謝泉;閆萬s，

本文編號：1679079