發(fā)布時(shí)間：2018-03-29 00:39

  本文選題：激光器　切入點(diǎn)：半導(dǎo)體激光器　出處：《中國(guó)激光》2017年09期

【摘要】：基于三維時(shí)域有限差分法,對(duì)半徑為5μm的徑向直連波導(dǎo)微腔激光器的模式及定向輸出特性進(jìn)行研究,得到了波長(zhǎng)在1550nm附近的高品質(zhì)因子(Q)橫電模的Q值與光場(chǎng)分布特性。基于半導(dǎo)體平面加工工藝制備了AlGaInAs/InP圓盤形微腔激光器,微腔半徑為5μm,波導(dǎo)寬度為1μm。該激光器在298K下實(shí)現(xiàn)了連續(xù)單模輸出,閾值電流為4mA。在注入電流為9mA時(shí),激光器的邊模抑制比可達(dá)33.4dB�；谒俾史匠虜M合了激光器模式強(qiáng)度隨注入電流的變化,得到激光器的自發(fā)輻射因子約為5.5×10~(-3)。
[Abstract]:Based on 3D finite-difference time-domain method, the mode and directional output characteristics of a radial direct-connected waveguide micro-cavity laser with a radius of 5 渭 m are studied. The Q value and optical field distribution of the high quality factor Q) transverse mode near 1550nm are obtained. Based on the fabrication of semiconductor plane, the AlGaInAs/InP disk microcavity laser is fabricated. The microcavity radius is 5 渭 m and the waveguide width is 1 渭 m. The laser has a continuous single-mode output at 298K and a threshold current of 4mA. when the injection current is 9mA, The edge-mode rejection ratio of the laser can reach 33.4 dB. Based on the rate equation, the mode intensity of the laser varies with the injection current, and the spontaneous emission factor of the laser is about 5.5 脳 10 ~ (-1) ~ (-3) ~ (-1).
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十九研究所;中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;
【分類號(hào)】：TN248

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本文編號(hào)：1678820