本文選題：ECR等離子體　切入點：氮化鎵　出處：《真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報》2017年04期

【摘要】：氫在GaN薄膜制備工藝中扮演很重要的角色,氫主要有兩個來源,一是載氣氫,另一個來源是從TMG氣源本身離解出來的氫產(chǎn)物。本文研究了電子回旋共振-等離子體增強化學(xué)氣相沉積(ECR-PECVD)沉積GaN薄膜工藝中從TMG離解出來的氫產(chǎn)物及其對薄膜生長環(huán)境的影響。實驗分別采用N_2和TMG作為N源和Ga源,襯底為(0001)面α-Al_2O_3。實驗的結(jié)果表明從TMG中離解出來的氫產(chǎn)物的數(shù)量會隨著微波功率的增加而增加,特別是當微波功率大于500 W時離解氫的數(shù)量增加更明顯,但是這種增加還不足以改變PECVD沉積GaN薄膜過程中本來的富鎵生長環(huán)境。
[Abstract]:Hydrogen plays an important role in the preparation of GaN thin films. Hydrogen mainly comes from two sources. Another source is the hydrogen product dissociated from the TMG gas source. The hydrogen products dissociated from TMG and their effects on GaN thin films by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition (ECR-PECV D) have been studied in this paper. The effects of long environment. The experiment uses Ns _ 2 and TMG as N source and Ga source, respectively. The experimental results show that the number of hydrogen products dissociated from TMG increases with the increase of microwave power, especially when microwave power is greater than 500W. However, this increase is not enough to change the gallium rich growth environment during the deposition of GaN films by PECVD.
【作者單位】： 廣東省量子調(diào)控工程與材料重點實驗室華南師范大學(xué)物理與電信工程學(xué)院;廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(10575039) 廣東省自然科學(xué)基金項目(S2013010012548)資助
【分類號】：O484;O53

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本文編號：1678167