O波段8通道硅基二氧化硅平坦化陣列波導光柵的設計及制備
本文選題:陣列波導光柵 切入點:波分復用 出處:《光子學報》2017年08期 論文類型:期刊論文
【摘要】:設計并制作了一款應用于IEEE 200/400GbE標準802.3bs的陣列波導光柵.該陣列波導光柵使用2.0%的超高折射率差硅基二氧化硅材料,使得芯片尺寸及損耗較小.為了獲得平坦化的接收光譜,將輸出波導進行展寬,采用多模波導結(jié)構,激發(fā)若干個高階模,數(shù)個模式疊加使得原本高斯狀的光譜頂部產(chǎn)生平坦化,形成箱形接收光譜.設計的陣列波導光柵的中心波長為1 291.10nm,通道間隔為800GHz,芯片尺寸為11mm×4mm.經(jīng)過等離子增強化學氣相沉積和感應耦合等離子刻蝕工藝制備了芯片,測試結(jié)果表明最小的插入損耗為-3.3dB,相鄰通道間串擾小于-20dB,單通道1dB帶寬在2.12~3.06nm范圍,實現(xiàn)了良好的解復用和平坦化效果,在實際光通信系統(tǒng)中有一定的實用價值.
[Abstract]:An arrayed waveguide grating applied to IEEE 200/400GbE standard 802.3bs is designed and fabricated. The arrayed waveguide grating uses 2.0% silica with ultra-high refractive index difference, which makes the chip size and loss smaller. The output waveguide is broadened, and the multimode waveguide structure is used to excite a number of higher-order modes. The superposition of several modes makes the top of the original Gao Si spectrum flattened. The center wavelength of the designed arrayed waveguide grating is 1 291.10 nm, the channel interval is 800 GHz, and the chip size is 11mm 脳 4 mm. The chip is fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition and inductively coupled plasma etching. The test results show that the minimum insertion loss is -3.3 dB, the crosstalk between adjacent channels is less than -20 dB, and the single-channel 1dB bandwidth is in the 2.12~3.06nm range, which achieves good demultiplexing and flatting effect, and has certain practical value in the practical optical communication system.
【作者單位】: 中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點聯(lián)合實驗室;中國科學院大學材料科學與光電技術學院;
【基金】:國家高技術研究發(fā)展計劃(No.2015AA016902) 國家自然科學基金(Nos.61435013,61405188) 集成光電子學國家重點聯(lián)合實驗室自主研究課題資助~~
【分類號】:TN25
【相似文獻】
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,本文編號:1647018
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