本文選題：碳納米管　切入點(diǎn)：強(qiáng)流脈沖發(fā)射　出處：《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用酞菁鐵高溫?zé)峤夥椒?以化學(xué)鍍銅層為緩沖層在具有微方結(jié)構(gòu)陣列的硅基底上制備了CNTs薄膜,基底微方陣列的單元尺度分別為10μm×10μm×20μm(微方底邊長(zhǎng)為10μm,高為20μm)和40μm×40μm×20μm(微方底邊長(zhǎng)為40μm,高為20μm),微結(jié)構(gòu)的陣列間距分別為30μm和80μm;在20GW脈沖功率源系統(tǒng)中采用二極管結(jié)構(gòu)對(duì)兩種CNTs薄膜進(jìn)行強(qiáng)流脈沖發(fā)射特性測(cè)試。結(jié)果顯示:隨著脈沖電場(chǎng)峰值的增大,兩種冷陰極的強(qiáng)流脈沖發(fā)射電流值逐漸增大,在相同峰值的脈沖電場(chǎng)下,微方結(jié)構(gòu)單元尺度為10μm×10μm×20μm的基底上CNTs薄膜冷陰極的發(fā)射能力較大。結(jié)合利用有限元分析軟件ANSYS模擬計(jì)算的微方陣列結(jié)構(gòu)上表面的電場(chǎng)分布,研究了基底上兩種微方陣列結(jié)構(gòu)對(duì)碳納米管薄膜強(qiáng)流脈沖發(fā)射能力的影響。
[Abstract]:CNTs thin films were prepared on silicon substrates with micro-square arrays by pyrolysis of iron phthalocyanine at high temperature, using electroless copper plating as buffer layer. The cell scales of the array are 10 渭 m 脳 10 渭 m 脳 20 渭 m (10 渭 m and 20 渭 m) and 40 渭 m 脳 40 渭 m 脳 20 渭 m (40 渭 m 脳 40 渭 m 脳 20 渭 m), respectively. The array spacing of the microstructures is 30 渭 m and 80 渭 m, respectively. The characteristics of intense current pulse emission of CNTs thin films are measured. The results show that with the increase of the peak value of the pulsed electric field, The current value of intense pulse emission of two cold cathodes increases gradually, and under the same peak value of pulse electric field, The emission ability of CNTs thin film cold cathode on the substrates of 10 渭 m 脳 10 渭 m 脳 20 渭 m with the element scale of 10 渭 m 脳 10 渭 m 脳 20 渭 m is larger. The electric field distribution on the surface of the micro square array structure is simulated by using the finite element analysis software ANSYS. The effects of two kinds of microarrays on the pulsed emission of carbon nanotubes thin films were investigated.
【作者單位】： 鄭州航空工業(yè)管理學(xué)院理學(xué)院;中國(guó)工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所高功率微波技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目資助項(xiàng)目(11404291) 航空科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2014ZF55013,2015ZF55013) 河南省科技創(chuàng)新杰出人才資助項(xiàng)目(164200510006) 河南省高等學(xué)校重點(diǎn)科研項(xiàng)目計(jì)劃(15A140042)
【分類號(hào)】：TB383.1;O484

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本文編號(hào)：1646809