不均勻磁場中單層二硫化鉬的朗道能譜
本文關(guān)鍵詞: 單層二硫化鉬 不均勻磁場 朗道能級 出處:《大學(xué)物理》2017年03期 論文類型:期刊論文
【摘要】:單層二硫化鉬是一種新型的類石墨烯材料,其內(nèi)部較強(qiáng)自旋軌道耦合作用使它表現(xiàn)出許多不同于單層石墨烯的物理性質(zhì).本文從量子力學(xué)的基本概念出發(fā),借助特殊函數(shù)方程理論,研究了在不均勻垂直磁場作用下單層二硫化鉬中奇異的朗道能級結(jié)構(gòu).
[Abstract]:Monolayer molybdenum disulfide is a new graphene like material. Its strong spin-orbit coupling makes it show many physical properties different from monolayer graphene. In this paper, we proceed from the basic concept of quantum mechanics. Based on the theory of special function equation, the singular Landau energy level structure in monolayer molybdenum disulfide under the action of an inhomogeneous vertical magnetic field is studied.
【作者單位】: 安徽師范大學(xué)物理與電子信息學(xué)院;
【基金】:國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(11047019) 安徽省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(1408085MA15) 安徽師范大學(xué)科研培育基金(2012xmpy010)資助
【分類號】:O413.1
【正文快照】: 自2004年石墨烯被發(fā)現(xiàn)以來,其他類似石墨烯結(jié)構(gòu)的二維材料相繼涌現(xiàn)[1].近來,以二硫化鉬(Mo S2)為代表的類石墨烯材料成為理論和實(shí)驗(yàn)廣泛關(guān)注的研究對象,它將在電子與光電器件應(yīng)用等方面展現(xiàn)出巨大潛力,并為后摩爾時(shí)代集成化電子器件的研究開辟新的方向.單層Mo S2可以看作是由
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,本文編號:1453938
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