本文關(guān)鍵詞：TMIn流量對(duì)GaN基藍(lán)光LED外延薄膜的影響　出處：《人工晶體學(xué)報(bào)》2017年06期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：以藍(lán)寶石(Al_2O_3)為襯底,采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)生長(zhǎng)InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)。本文通過調(diào)整外延生長(zhǎng)過程中三甲基銦(TMIn)流量,研究了TMIn流量對(duì)InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)的合金組分、晶體質(zhì)量和光學(xué)性質(zhì)的影響。本文采用高分辨X射線衍射(HRXRD)、原子力顯微鏡(AFM)和光致發(fā)光(PL)測(cè)試表征其結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。HRXRD測(cè)試結(jié)果表明,隨TMIn流量增加,"0"級(jí)峰與GaN峰之間角偏離增大,更多的In并入薄膜中。HRXRD與AFM表征結(jié)果表明:增大TMIn流量會(huì)導(dǎo)致外延薄膜中的位錯(cuò)密度增大,V形坑數(shù)量增加,晶體質(zhì)量嚴(yán)重惡化;PL測(cè)試結(jié)果表明,隨著TMIn流量增加,發(fā)光強(qiáng)度逐漸降低,半高寬增大,這是由于晶體質(zhì)量惡化所導(dǎo)致。因此嚴(yán)格控制銦源流量對(duì)于改善量子阱薄膜的晶體質(zhì)量與光學(xué)性質(zhì)有著至關(guān)重要的作用。
[Abstract]:The sapphire (Al_2O_3) substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of InGaN/GaN multi quantum well structure. The growth of three methyl indium by adjusting the epitaxial process flow (TMIn), on the TMIn flow on InGaN/GaN multiple quantum well structures of alloy components, and affect the quality of the optical properties of the crystal. In this paper, using high resolution X ray diffraction (HRXRD), atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) characterization of the structure and optical properties of the.HRXRD test results showed that with the increase of TMIn flow rate, the deviation between 0 level peak and GaN peak angle increases, more In into.HRXRD and the characterization of AFM thin films show: TMIn flow will lead to dislocation density in epitaxial thin films increase, V pits increased, the crystal quality deterioration; PL test results show that with the increase of TMIn flow rate, the luminescence intensity gradually decreased, the half width increases, this is due to the crystal Therefore, the strict control of the indium flow rate is very important for improving the crystal quality and optical properties of the quantum well film.

【作者單位】： 太原理工大學(xué)新材料界面科學(xué)與工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;太原理工大學(xué)新材料工程技術(shù)研究中心;太原理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51672185,61604104,61504090)
【分類號(hào)】：O471.1;O484
【正文快照】： 1引言Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料具有寬帶隙、發(fā)光效率高、耐高溫以及化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),尤其是In Ga N/Ga N多量子阱結(jié)構(gòu),其輸出波長(zhǎng)涵蓋了可見光到紫外光的發(fā)光范圍,已被廣泛應(yīng)用于紫外、藍(lán)光、綠光LED和激光器的有源層[1,2]。研究發(fā)現(xiàn)通過改變In Ga N/Ga N多量子阱結(jié)構(gòu)的厚度和量

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本文編號(hào)：1395249