發(fā)布時間：2018-01-08 10:00

  本文關(guān)鍵詞：一種兼顧速度和功率損耗的硅探測器模擬前端電路設(shè)計　出處：《電子器件》2017年04期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：提出了一種兼顧速度和功率損耗的增益可調(diào)模擬前端電路,適用于硅探測器。該電路主要由快速電荷靈敏放大器、整形器以及可調(diào)節(jié)主要參數(shù)的控制系統(tǒng)組成。其中快速電荷靈敏放大器由低噪音場效晶體管(JFET)和電流反饋運(yùn)算放大器構(gòu)成,以確保較高頻率和較短上升時間。整形器為五階復(fù)數(shù)濾波器,能夠提供較高的對稱脈沖。通過實(shí)驗驗證了其可行性,在電容小于100pF的范圍內(nèi),實(shí)現(xiàn)了6種可調(diào)增益且兼顧了速度和功率損耗,電荷靈敏放大器上升時間為12ns,功率損耗為96mW。當(dāng)探測器電容為40pF時,等效噪音電荷(ENC)均值為180e-(電子電荷)。
[Abstract]:A method is proposed to balance the speed and power loss of the gain adjustable analog front-end circuit, suitable for silicon detector. The circuit is mainly composed of charge sensitive amplifier, shaper and control system can adjust the main parameters. The fast charge sensitive amplifier with low noise field effect transistor (JFET) and a current feedback operational amplifier in order to ensure the high frequency and short rise time. The shaper is five order complex filter, can provide higher symmetric pulse. Experimental results show the feasibility, in the range of capacitance is less than 100pF, realized 6 kinds of adjustable gain and both the speed and power loss, charge sensitive amplifier rise time 12ns, power loss of 96mW. when the detector capacitance is 40pF, equivalent noise charge (ENC) mean 180e- (electronic charge).

【作者單位】： 重慶電子工程職業(yè)學(xué)院計算機(jī)學(xué)院;
【基金】：重慶市教育科學(xué)規(guī)劃課題(2013-ZJ-083)
【分類號】：O572.212
【正文快照】： 眾所周知有許多傳感器和探測器能夠產(chǎn)生電荷信號,以便測量或者響應(yīng)外部物理變量,如:光電探測器、熱電傳感器、壓電傳感器以及粒子和X射線探測器[1-4]。硅探測器作為粒子物理探測器中最常用一種,需要模擬前端電路對探測器輸出電荷信號放大和濾波。由于電荷靈敏放大器能夠整合反

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本文編號：1396620