正電子湮滅技術(shù)是材料研究中的重要的方法,能夠得到材料中的電子密度、元素組成以及缺陷等微觀信息,可以來(lái)分析材料的性能�；诂F(xiàn)有正電子湮滅測(cè)量軟件存在的限制,本論文提出了一種新的解決方案和搭建了整個(gè)軟件系統(tǒng)。本論文提出的正電子湮滅測(cè)量軟件的設(shè)計(jì)是基于客戶端/服務(wù)器的模式,采用分離式的設(shè)計(jì)方法,使實(shí)驗(yàn)設(shè)備和用戶操作軟件徹底分開(kāi),解決了原有軟件中存在的測(cè)試場(chǎng)地和時(shí)間方面的限制,使實(shí)驗(yàn)人員可以對(duì)軟件和設(shè)備進(jìn)行遠(yuǎn)程控制和管理。正電子湮滅測(cè)量軟件的搭建分成服務(wù)器軟件設(shè)計(jì)、客戶端軟件設(shè)計(jì)以及遠(yuǎn)程控制網(wǎng)絡(luò)建設(shè)三部分的工作,其中,服務(wù)器軟件的設(shè)計(jì)目的是用于與設(shè)備通信獲取采集數(shù)據(jù)以及與客戶端通信提供驗(yàn)證服務(wù)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),內(nèi)容包括與設(shè)備的通信、相關(guān)工作模式下的數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)庫(kù)的使用,客戶端軟件的設(shè)計(jì)目的是給用戶提供操作控制平臺(tái)以及與服務(wù)器通信,內(nèi)容包括軟件界面設(shè)計(jì)、軟件功能實(shí)現(xiàn)、二維數(shù)據(jù)畫(huà)圖和三維立體繪制,遠(yuǎn)程控制網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的目的是將分離的客戶端與服務(wù)器構(gòu)建通信的通道,內(nèi)容包括TCP通信傳輸?shù)脑O(shè)計(jì)、傳輸數(shù)據(jù)的壓縮和傳輸數(shù)據(jù)的加密。所以,正電子湮滅測(cè)量軟件在遠(yuǎn)程控制網(wǎng)絡(luò)的作用下使服務(wù)器軟件和客戶端軟件緊密聯(lián)系,能夠... 

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

全球正電子研究的發(fā)展趨勢(shì)（主要參考標(biāo)準(zhǔn)是發(fā)表論文的數(shù)量）

圖 1-2 正電子湮滅的過(guò)程其中，em 是電子的靜止質(zhì)量，c 是光速，BE 是電子和正電子之間的束縛能，P子的縱向動(dòng)量分量，1E 和2E 分別是兩個(gè)伽馬光子的能量，大小主要由LP 決定2/ 2 0.511 B c + E =M eV。因?yàn)閰⑴c湮滅的電子具有一定的動(dòng)量，湮滅產(chǎn)生的兩個(gè)光子的能量相2/ 2 B c + E有一定的多普勒能移12L E = P c，兩個(gè)光子的能移大小相等，方向相于多普勒效應(yīng)，使得產(chǎn)生的湮滅伽馬光子的能量出現(xiàn)了展寬，最大展寬值為 2 個(gè)現(xiàn)象是多普勒能量的展寬，其中，波形如圖 1-3b 所示，呈現(xiàn)出對(duì)稱的類高斯電子在湮滅時(shí)產(chǎn)生的 0.511MeV 的伽馬光子可以被壽命譜儀接收，作為正電子件的結(jié)束時(shí)間，與產(chǎn)生 1.28MeV 的伽馬光子之間的時(shí)間差是正電子的生存時(shí)正電子壽命，在圖 1-3a 所示，正電子壽命的波形為類方波。多普勒能量展寬

圖 1-3 正電湮滅產(chǎn)生波形圖，圖 a 是正電子湮滅的壽命波形，圖 b 是正電子湮滅的能波形通過(guò)湮滅事件的累積，正電子湮滅壽命譜和正電子多普勒展寬譜根據(jù)這些事件據(jù)形成統(tǒng)計(jì)譜圖。對(duì)這兩個(gè)譜圖進(jìn)行分析，可以得到材料中的微觀結(jié)構(gòu)信息，獲料中的相關(guān)性能。正電子的湮滅壽命與正電子在材料中的存活時(shí)間相關(guān)，與正電材料中的湮滅率成反比，而湮滅率與周?chē)碾娮用芏瘸烧�，所以，正電子的壽以反映出湮滅位置周�(chē)娮拥拿芏刃畔10~12]。正電子的湮滅特性分為自由態(tài)湮滅獲態(tài)湮滅，前者主要在金屬和合金中進(jìn)行研究，湮滅的壽命是自由態(tài)正電子壽命命時(shí)間較短，而后者主要在缺陷中進(jìn)行研究，湮滅的壽命是捕獲態(tài)正電子壽命，時(shí)間跟缺陷的類型和濃度有關(guān)。所以，正電子湮滅壽命譜的分析可以提供材料中密度、缺陷等微觀信息。多普勒展寬譜存在波峰區(qū)和兩翼區(qū)兩個(gè)部分，分別對(duì)應(yīng)參數(shù)分析法中的S 參數(shù)和W 參數(shù)，如圖 1-4 所示，其中，S 參數(shù)定義了譜中0.511M

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]應(yīng)用正電子湮沒(méi)譜學(xué)對(duì)Fe-1.0%Cu合金氫致缺陷的研究[J]. 羅見(jiàn)兵,張鵬,朱特,曹興忠,張懷強(qiáng),靳碩學(xué),于潤(rùn)升,王寶義.  核技術(shù). 2018(02)
[2]正電子湮沒(méi)譜學(xué)研究半導(dǎo)體材料微觀結(jié)構(gòu)的應(yīng)用進(jìn)展[J]. 曹興忠,宋力剛,靳碩學(xué),張仁剛,王寶義,魏龍.  物理學(xué)報(bào). 2017(02)
[3]用正電子湮沒(méi)譜學(xué)技術(shù)表征一種有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化膜[J]. 王勝,楊靜,田麗霞,于勝楠,曹興忠,潘福生,姜忠義,于潤(rùn)升,王寶義,張鵬.  核技術(shù). 2015(03)
[4]正電子湮沒(méi)譜研究Nb在TiAl合金中的摻雜效應(yīng)[J]. 張?zhí)m芝,王寶義,王丹妮,魏龍,林均品,王文俊.  金屬學(xué)報(bào). 2007(03)

碩士論文
[1]雙通道正電子多普勒譜儀信號(hào)處理顯示系統(tǒng)[D]. 王根平.華中科技大學(xué) 2009
[2]基于FPGA的二維多普勒譜儀數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)[D]. 黃純靜.華中科技大學(xué) 2009
[3]正電子二維多普勒譜儀中網(wǎng)絡(luò)傳輸模塊的設(shè)計(jì)[D]. 尚世博.華中科技大學(xué) 2008



本文編號(hào)：2980902