發(fā)布時間：2021-11-05 10:51

　　第一性原理計算方法可以模擬材料的晶體結(jié)構(gòu)以及計算材料的各種物理性質(zhì),為相關(guān)材料的制備提供理論依據(jù)。本文基于密度泛函理論的平面波贗勢法,對CuXSe2（X=B,Al,Ga,In,Tl）晶體結(jié)構(gòu)的力學(xué)性質(zhì)、電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進行詳細的計算。首先,對于力學(xué)性質(zhì)的研究是在廣義梯度近似（GGA）和局域密度近似（LDA）下進行的,采用第一性原理方法研究了CuXSe2（X=B,Al,Ga,In,Tl）晶體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和力學(xué)性質(zhì)。分析了CuXSe2（X=B,Al,Ga,In,Tl）結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù),彈性常數(shù),體積模量,剪切模量,楊氏模量,泊松比。計算結(jié)果表明,根據(jù)力學(xué)穩(wěn)定判據(jù),在零溫零壓下,CuXSe2（X=B,Al,Ga,In,Tl）的晶體結(jié)構(gòu)是力學(xué)穩(wěn)定的。經(jīng)過同主族替換,發(fā)現(xiàn)晶格常數(shù)越大,體彈性模量就越小。這可以解釋為X離子半徑逐漸增大,晶格常數(shù)逐漸增加,晶體的可壓縮性也增加。由pugh經(jīng)驗關(guān)系可知CuXSe2（X=B,Al,Ga,In,Tl）均屬于韌性材料。這為金屬化合物的鍛造提供了理論依據(jù)。其次,使用B3LYP關(guān)聯(lián)函數(shù)研究了CuXSe2（X=B,Al,Ga,In,Tl）晶體結(jié)構(gòu)的電子性質(zhì)。計算了... 

【文章來源】：渤海大學(xué)遼寧省

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

CuXSe2(X=B，Al，Ga，In，Tl)的能帶結(jié)構(gòu)

21圖 4-1 CuXSe2(X=B，Al，Ga，In，Tl)的能帶結(jié)構(gòu)Fig4-1 Band structures of CuXSe2(X=B，Al，Ga，In，Tl)由能帶結(jié)構(gòu)的寬窄來判斷不同原子之間的重疊情況，觀察五種化合物的能帶

【參考文獻】：
期刊論文
[1]黃銅礦型半導(dǎo)體材料CuAlX2（X=S,Se,Te）的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)[J]. 周和根,陳虹,陳懂,李奕,丁開寧,黃昕,章永凡.  物理化學(xué)學(xué)報. 2011(12)
[2]迅速發(fā)展的CIGS薄膜太陽電池[J]. 朱潔.  電源技術(shù). 2008(01)



本文編號：3477658