目的:探討電針百會穴對APP/PS1轉基因小鼠空間學習記憶能力及氫質子磁共振波譜(1H-MRS)的影響。方法:雄性APP/PS1轉基因小鼠及雌性陰性小鼠育種后代,經(jīng)PCR鑒定后將育種后代中15只轉基因小鼠根據(jù)隨機數(shù)字表分為模型組7只和電針組8只,8只同窩陰性小鼠作為正常組。電針百會穴干預4周,正常組及模型組同等條件抓取。Morris水迷宮觀察小鼠空間學習記憶能力,1H-MRS檢測小鼠腦內(nèi)海馬區(qū)N-乙酰天門冬氨酸(NAA)、谷氨酸(Glu)水平。結果:Morris水迷宮試驗顯示,電針組小鼠逃避潛伏期較模型組顯著縮短(P<0.05),穿越平臺次數(shù)增加(P<0.05);與模型組小鼠比較,電針組小鼠海馬區(qū)NAA、Glu水平均較高,差異具有統(tǒng)計學意義(P<0.05)。結論:電針百會穴可改善APP/PS1轉基因小鼠空間學習記憶能力,其作用機制可能與腦內(nèi)海馬區(qū)NAA、Glu含量增加有關。

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【文章目錄】：
1 材料與方法
    1.1 實驗動物與分組
    1.2 實驗儀器及試劑
    1.3 干預方法
    1.4 基因型鑒定
    1.5 Morris水迷宮
    1.7 統(tǒng)計學方法
2 結果
    2.1 APP/PS1雙轉小鼠基因型鑒定
    2.2 Morris水迷宮
        2.2.1 定位航行試驗結果
        2.2.2 空間探索試驗結果
    2.31H-MRS檢測結果
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