自增韌氮化硅陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)模擬與力學(xué)性能預(yù)測(cè)
發(fā)布時(shí)間:2020-12-10 05:28
隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)、人工智能技術(shù)的不斷進(jìn)步,材料設(shè)計(jì)逐漸成為與材料實(shí)驗(yàn)和材料理論并行發(fā)展的三個(gè)方向之一。本文以自增韌氮化硅陶瓷為設(shè)計(jì)對(duì)象,運(yùn)用主成分分析法(Principle Component Analysis:PCA)對(duì)自增韌Si3N4陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能進(jìn)行數(shù)據(jù)空間降維,獲得自增韌Si3N4陶瓷顯微結(jié)構(gòu)控制的主要因素,進(jìn)而簡(jiǎn)化了表征參量變量和準(zhǔn)則;運(yùn)用模糊神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(Fuzzy Neural Networks:FNN)建立了自增韌Si3N4陶瓷設(shè)計(jì)專家系統(tǒng),能實(shí)現(xiàn)工藝—微結(jié)構(gòu)—性能的正向預(yù)測(cè)及反向設(shè)計(jì);運(yùn)用Monte-Carlo方法(MC)進(jìn)行自增韌Si3N4陶瓷的晶體生長(zhǎng)模擬,然后進(jìn)行裂紋擴(kuò)展模擬,探索建立工藝—微結(jié)構(gòu)—力學(xué)性能預(yù)測(cè)模型的思路。最后對(duì)材料設(shè)計(jì)的統(tǒng)一模式進(jìn)行了探討。主要研究結(jié)果如下: 1.自增韌Si3N4陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)可以用第一個(gè)主成分——綜合...
【文章來(lái)源】:西北工業(yè)大學(xué)陜西省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:73 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
軟件主界面和功能界面
表3.13計(jì)算所需材料參數(shù)Table3.13Materials,Parametersusedinsimulation參數(shù)網(wǎng)格間距入(林m)晶向總數(shù),q迭代次數(shù)溫度(K)單位面積原子數(shù)(/mZ)配位數(shù)各向異性參數(shù)界面能(J/mZ)近鄰原子數(shù)值0.148【50]100~80020231.5516X10183[51]7.00【14]0.353226隨著模擬迭代次數(shù)的增加,晶粒尺寸增大,如圖3.13所示。
隨著模擬迭代次數(shù)的增加,晶粒尺寸增大,如圖3.13所示。(a)20MCS顯微結(jié)構(gòu)模擬圖(a)Simulatedmierostructure20MCSaftel’(b)40MCS顯微結(jié)構(gòu)模擬圖(b)Simulatedmierostruetureafter40MCS
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]計(jì)算材料學(xué)與材料設(shè)計(jì)[J]. 郭俊梅,鄧德國(guó),潘健生,胡明娟. 貴金屬. 1999(04)
[2]跨世紀(jì)材料科學(xué)技術(shù)的若干熱點(diǎn)問(wèn)題[J]. 師昌緒. 自然科學(xué)進(jìn)展. 1999(01)
[3]有限元計(jì)算細(xì)觀力學(xué)對(duì)復(fù)合材料力學(xué)行為的數(shù)值分析[J]. 方岱寧,周儲(chǔ)偉. 力學(xué)進(jìn)展. 1998(02)
[4]強(qiáng)韌化材料的細(xì)觀力學(xué)設(shè)計(jì)[J]. 楊慶生,楊衛(wèi). 力學(xué)進(jìn)展. 1997(02)
[5]界面裂紋的路徑選擇與數(shù)值模擬[J]. 楊慶生,楊衛(wèi). 力學(xué)學(xué)報(bào). 1997(03)
本文編號(hào):2908157
【文章來(lái)源】:西北工業(yè)大學(xué)陜西省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:73 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
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表3.13計(jì)算所需材料參數(shù)Table3.13Materials,Parametersusedinsimulation參數(shù)網(wǎng)格間距入(林m)晶向總數(shù),q迭代次數(shù)溫度(K)單位面積原子數(shù)(/mZ)配位數(shù)各向異性參數(shù)界面能(J/mZ)近鄰原子數(shù)值0.148【50]100~80020231.5516X10183[51]7.00【14]0.353226隨著模擬迭代次數(shù)的增加,晶粒尺寸增大,如圖3.13所示。
隨著模擬迭代次數(shù)的增加,晶粒尺寸增大,如圖3.13所示。(a)20MCS顯微結(jié)構(gòu)模擬圖(a)Simulatedmierostructure20MCSaftel’(b)40MCS顯微結(jié)構(gòu)模擬圖(b)Simulatedmierostruetureafter40MCS
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]計(jì)算材料學(xué)與材料設(shè)計(jì)[J]. 郭俊梅,鄧德國(guó),潘健生,胡明娟. 貴金屬. 1999(04)
[2]跨世紀(jì)材料科學(xué)技術(shù)的若干熱點(diǎn)問(wèn)題[J]. 師昌緒. 自然科學(xué)進(jìn)展. 1999(01)
[3]有限元計(jì)算細(xì)觀力學(xué)對(duì)復(fù)合材料力學(xué)行為的數(shù)值分析[J]. 方岱寧,周儲(chǔ)偉. 力學(xué)進(jìn)展. 1998(02)
[4]強(qiáng)韌化材料的細(xì)觀力學(xué)設(shè)計(jì)[J]. 楊慶生,楊衛(wèi). 力學(xué)進(jìn)展. 1997(02)
[5]界面裂紋的路徑選擇與數(shù)值模擬[J]. 楊慶生,楊衛(wèi). 力學(xué)學(xué)報(bào). 1997(03)
本文編號(hào):2908157
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