外電場(chǎng)輔助沉淀法合成納米氧化鋅顆粒及其應(yīng)用于潤(rùn)滑劑的研究
【圖文】:
電場(chǎng)輔助的作用,通常在三電級(jí)(基片為靜電陰極,再池中進(jìn)行,電解質(zhì)溶液為鋅鹽的水溶液,通過(guò)對(duì)基片加棒或納米線。,89]用 Pt 片為陽(yáng)極,用 Ag/AgCl 作參比電極, 帶 Au 膜的。在溫度為 333K 下,將濃度為 0.03M 的 Zn (NO3)2溶液的 pH 值維持在 5 左右,電流密度為 0.3mA cm-1。沉沉積生長(zhǎng)了 ZnO 納米棒。計(jì)了圖 1-1 所示的裝置,采用電場(chǎng)輔助電化學(xué)沉積的方 ZnO 納米線陣列,其形貌均勻,直徑大約為 60nm,是:將事先特殊處理好的帶滲透作用的氧化鋁模板密封 Zn(NO3)2溶液中的陽(yáng)極和位于 Na2S 溶液中的陰極,在施加 0.5-40V 的橫向電場(chǎng),通過(guò)改變電場(chǎng)強(qiáng)度和溶液密度
采用反應(yīng)原料為鋅粉,氧化劑為氧氣,氮?dú)鉃檩d氣,在石英管中發(fā)生氧化反應(yīng),得到了直徑在10-50nm之間的氧化鋅晶體。圖1-4 熱蒸發(fā)制備ZnO納米結(jié)構(gòu)示意圖2002年,B.D.Yao等[111]利用熱蒸發(fā)法在1100℃通過(guò)蒸發(fā)ZnO粉和C粉的混合物,在不同溫度區(qū)域生長(zhǎng)了不同形貌的ZnO納米結(jié)構(gòu):在750~800℃溫度區(qū)得到了針狀納米棒;650~750℃溫度區(qū)得到了納米帶;500~650℃溫度區(qū)得到了納米線。2006年,G.Z.Shen等[112]通過(guò)蒸發(fā)Zn粉末,成功制備了ZnO納米釘和納米筆。(2)脈沖激光沉積(pulsed laser deposition,PLD)
【學(xué)位授予單位】:華南理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2013
【分類號(hào)】:TH117.2;TB383.1
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2527254
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