發(fā)布時間：2025-05-12 23:19

　　集成電路只有經(jīng)過測試合格后,才能成為真正的產(chǎn)品進入市場。目前國內(nèi)外常見的集成電路測試方式有:ATE(自動化測試設備)測試,優(yōu)點是測試速度快、覆蓋率高,探針卡測試,優(yōu)點是可以節(jié)約封裝成本,BIST電路測試,優(yōu)點是對測試儀器依賴性小。但是這些測試方式有一個共同的缺點:費用高昂,從而會提高研發(fā)成本。本著降低集成電路測試成本,推廣測試儀器小型化的目的,推出了基于FPGA的測試系統(tǒng)。本文針對OCTA NOR Flash芯片設計了一套基于FPGA的芯片測試系統(tǒng)。該系統(tǒng)覆蓋待測OCTA NOR Flash芯片的三種接口模式,分別是傳統(tǒng)SPI模式(單口輸入,單口輸出),STR-OPI模式(Single Transfer Rate OPI,單沿8 I/O口傳輸),DTR-OPI模式(Double Transfer Rate OPI,雙沿8 I/O口傳輸)。測試時鐘頻率達該芯片最高工作頻率,104 MHz。比特率最高達1.664 Gbps(Bit Per Second)。本文針對以下幾方面展開:1、討論了NOR Flash在集成電路中地位重要、國內(nèi)外測試Flash的方式、存儲器基本測試原理,包含存儲器各種分...

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1芯片測試基本原理圖

現(xiàn)代經(jīng)濟與社會發(fā)展的基礎(chǔ)，不能受制于人，需要掌握片生產(chǎn)的最后一個步驟為芯片的測試，測試會根據(jù)芯片項指標是否達到要求。NORFlash是存儲信息的一個載體的出現(xiàn)，如汽車電子，NORFlash與人類安全的關(guān)系更h的性能不滿足標準，出現(xiàn)問題，將會對使用產(chǎn)品的用命安全，使得N....

圖2-1存儲器功能分類圖

存儲器的分類存儲器也是存儲芯片，其電路模型種類豐富，各種電路模型結(jié)構(gòu)截然不同標準與要求來做分類，存儲芯片被劃分成很多類別。存儲芯片按照存儲方式不同來分，有“隨機存儲器”和“順序存儲器。“隨機存儲器”的存取方式是按隨機存取，當讀出或者寫入存儲器，所花費的時間長度與這個數(shù)據(jù)目前的位置....

圖2-2NORFlash存儲陣列示意圖

圖2-2NORFlash存儲陣列示意圖e上的存儲單元之間是并聯(lián)關(guān)系，當選中某一條W擇一個單元的操作，實現(xiàn)按位的讀操作，也叫隨高。也能一個Bit或者一個Byte的編程。存儲單以獨立尋址，并且讀取高效，適合用于存儲代碼帶來一些問題：需要打通孔，走連接線，從而占。并....

圖2-3非揮性存儲單元基本結(jié)構(gòu)

第二章存儲芯片基本測試原理也像一般MOS管一樣，有源極，有漏極。它ate，簡稱Sub）、隧穿氧化層（Tunneloxide）、化層（Controloxide）、控制柵電極（Controlgate存儲單元各端分別加上控制柵電極電壓、源極變浮柵中電子的數(shù)目，這種將電子捕....

本文編號：4045380