基于浮柵結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)閃存在器件小型化進(jìn)程中受到自身物理尺寸的制約,無法滿足日益增長的大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。因此,下一代非易失性高密度存儲(chǔ)器的研發(fā)成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。阻變式隨機(jī)存儲(chǔ)器（RRAM）的電阻轉(zhuǎn)變效應(yīng)來源于納米尺寸導(dǎo)電細(xì)絲通斷,在高密度存儲(chǔ)方面極具潛力。同時(shí)RRAM還具有擦寫速度快,循環(huán)壽命高,保持時(shí)間長,功耗低等眾多優(yōu)點(diǎn)。RRAM的阻變層材料對(duì)器件基本性能具有重要影響,因此尋找合適的阻變材料尤為關(guān)鍵。二硫化鉬（MoS₂）作為一種比較具有代表性的層狀材料,具有成膜方法簡單、機(jī)械柔韌性好、電學(xué)特性可調(diào)等優(yōu)勢(shì),在柔性電子器件應(yīng)用領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。本論文采用硫化鉬薄膜為阻變層材料構(gòu)筑柔性可轉(zhuǎn)移阻變存儲(chǔ)器件,在此基礎(chǔ)上研究了器件在不同電壓極性下阻變機(jī)理以及其在多級(jí)存儲(chǔ)方面應(yīng)用,具體工作如下:多級(jí)存儲(chǔ)性能研究:我們構(gòu)造了Ag/MoS₂/Au結(jié)構(gòu)的阻變存儲(chǔ)器,通過電學(xué)性能測(cè)試,發(fā)現(xiàn)其在同一存儲(chǔ)單元中兼具雙極性與單極性阻變行為,且這兩種模式可以發(fā)生互轉(zhuǎn)而不受彼此的影響�；趦煞N阻變模式的不同阻變機(jī)制,我們?cè)O(shè)計(jì)了一種正偏壓讀取方式區(qū)分兩個(gè)低阻態(tài),實(shí)現(xiàn)了同一...

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1(a)大數(shù)據(jù)時(shí)代全球數(shù)據(jù)量增長趨勢(shì)(b)摩爾定律危機(jī)

第一章緒論存儲(chǔ)器簡介存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的五種基本結(jié)構(gòu)之一，作為計(jì)算機(jī)的核心元素，肩負(fù)著存與運(yùn)轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)的重大使命�？梢哉f，計(jì)算機(jī)的記憶功能是通過存儲(chǔ)器來實(shí)現(xiàn)的。存為一種物理器件，通常具有兩種穩(wěn)定的狀態(tài)，這兩種狀態(tài)與計(jì)算機(jī)二進(jìn)制運(yùn)算中的“0”相對(duì)應(yīng)，這便是實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)的基本原理。隨著....

圖1.2浮柵結(jié)構(gòu)的Flash存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及工作原理示意圖

以下是針對(duì)這幾種存儲(chǔ)器性能及優(yōu)缺點(diǎn)的簡單介紹。圖1.2浮柵結(jié)構(gòu)的Flash存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及工作原理示意圖1.2下一代非易失性存儲(chǔ)器1.2.1磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)[3]是由固定磁層，隧穿層和自由磁層構(gòu)成的，如圖1.3所示。它的工作原理是通過外磁場來控....

圖1.3(a)磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)圖(b)擦寫過程

圖1.2浮柵結(jié)構(gòu)的Flash存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及工作原理示意圖一代非易失性存儲(chǔ)器磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器阻隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)[3]是由固定磁層，隧穿層和自由磁層構(gòu)成的，如圖的工作原理是通過外磁場來控制自由磁層的磁矩方向，使自由磁層的磁矩層的磁矩方向正向平行或反向平行，從而影響電子通過隧....

圖1.4鐵電存儲(chǔ)器工作原理示意圖

是利用在鐵電材料上施加方向不儲(chǔ)數(shù)據(jù)的[5-7]。如圖1.4所示，當(dāng)在鐵電生運(yùn)動(dòng)并達(dá)到一種穩(wěn)定的狀態(tài)，該狀態(tài)化向上)。當(dāng)施加的電場方向發(fā)生改變電場撤銷后，由于原子處于高能階，沒電存儲(chǔ)器不需要靠電壓來保持?jǐn)?shù)據(jù)，為速度快，非易失性，低功耗等優(yōu)點(diǎn)，但并不利于它的高度集成化和高密度存儲(chǔ)....

本文編號(hào)：4029438