基于浮柵結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)閃存在器件小型化進程中受到自身物理尺寸的制約,無法滿足日益增長的大數(shù)據(jù)存儲需求。因此,下一代非易失性高密度存儲器的研發(fā)成為人們關(guān)注的焦點。阻變式隨機存儲器（RRAM）的電阻轉(zhuǎn)變效應(yīng)來源于納米尺寸導(dǎo)電細絲通斷,在高密度存儲方面極具潛力。同時RRAM還具有擦寫速度快,循環(huán)壽命高,保持時間長,功耗低等眾多優(yōu)點。RRAM的阻變層材料對器件基本性能具有重要影響,因此尋找合適的阻變材料尤為關(guān)鍵。二硫化鉬（MoS₂）作為一種比較具有代表性的層狀材料,具有成膜方法簡單、機械柔韌性好、電學(xué)特性可調(diào)等優(yōu)勢,在柔性電子器件應(yīng)用領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。本論文采用硫化鉬薄膜為阻變層材料構(gòu)筑柔性可轉(zhuǎn)移阻變存儲器件,在此基礎(chǔ)上研究了器件在不同電壓極性下阻變機理以及其在多級存儲方面應(yīng)用,具體工作如下:多級存儲性能研究:我們構(gòu)造了Ag/MoS₂/Au結(jié)構(gòu)的阻變存儲器,通過電學(xué)性能測試,發(fā)現(xiàn)其在同一存儲單元中兼具雙極性與單極性阻變行為,且這兩種模式可以發(fā)生互轉(zhuǎn)而不受彼此的影響�；趦煞N阻變模式的不同阻變機制,我們設(shè)計了一種正偏壓讀取方式區(qū)分兩個低阻態(tài),實現(xiàn)了同一...

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1(a)大數(shù)據(jù)時代全球數(shù)據(jù)量增長趨勢(b)摩爾定律危機

第一章緒論存儲器簡介存儲器是計算機系統(tǒng)的五種基本結(jié)構(gòu)之一，作為計算機的核心元素，肩負著存與運轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)的重大使命�？梢哉f，計算機的記憶功能是通過存儲器來實現(xiàn)的。存為一種物理器件，通常具有兩種穩(wěn)定的狀態(tài)，這兩種狀態(tài)與計算機二進制運算中的“0”相對應(yīng)，這便是實現(xiàn)存儲的基本原理。隨著....

圖1.2浮柵結(jié)構(gòu)的Flash存儲器結(jié)構(gòu)及工作原理示意圖

以下是針對這幾種存儲器性能及優(yōu)缺點的簡單介紹。圖1.2浮柵結(jié)構(gòu)的Flash存儲器結(jié)構(gòu)及工作原理示意圖1.2下一代非易失性存儲器1.2.1磁阻隨機存儲器磁阻隨機存儲器(MRAM)[3]是由固定磁層，隧穿層和自由磁層構(gòu)成的，如圖1.3所示。它的工作原理是通過外磁場來控....

圖1.3(a)磁阻隨機存儲器結(jié)構(gòu)圖(b)擦寫過程

圖1.2浮柵結(jié)構(gòu)的Flash存儲器結(jié)構(gòu)及工作原理示意圖一代非易失性存儲器磁阻隨機存儲器阻隨機存儲器(MRAM)[3]是由固定磁層，隧穿層和自由磁層構(gòu)成的，如圖的工作原理是通過外磁場來控制自由磁層的磁矩方向，使自由磁層的磁矩層的磁矩方向正向平行或反向平行，從而影響電子通過隧....

圖1.4鐵電存儲器工作原理示意圖

是利用在鐵電材料上施加方向不儲數(shù)據(jù)的[5-7]。如圖1.4所示，當在鐵電生運動并達到一種穩(wěn)定的狀態(tài)，該狀態(tài)化向上)。當施加的電場方向發(fā)生改變電場撤銷后，由于原子處于高能階，沒電存儲器不需要靠電壓來保持數(shù)據(jù)，為速度快，非易失性，低功耗等優(yōu)點，但并不利于它的高度集成化和高密度存儲....

本文編號：4029438