基于硫化鉬薄膜的柔性可轉(zhuǎn)移阻變存儲器工作機理探究
【文章頁數(shù)】:63 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1(a)大數(shù)據(jù)時代全球數(shù)據(jù)量增長趨勢(b)摩爾定律危機
第一章緒論存儲器簡介存儲器是計算機系統(tǒng)的五種基本結(jié)構(gòu)之一,作為計算機的核心元素,肩負著存與運轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)的重大使命?梢哉f,計算機的記憶功能是通過存儲器來實現(xiàn)的。存為一種物理器件,通常具有兩種穩(wěn)定的狀態(tài),這兩種狀態(tài)與計算機二進制運算中的“0”相對應(yīng),這便是實現(xiàn)存儲的基本原理。隨著....
圖1.2浮柵結(jié)構(gòu)的Flash存儲器結(jié)構(gòu)及工作原理示意圖
以下是針對這幾種存儲器性能及優(yōu)缺點的簡單介紹。圖1.2浮柵結(jié)構(gòu)的Flash存儲器結(jié)構(gòu)及工作原理示意圖1.2下一代非易失性存儲器1.2.1磁阻隨機存儲器磁阻隨機存儲器(MRAM)[3]是由固定磁層,隧穿層和自由磁層構(gòu)成的,如圖1.3所示。它的工作原理是通過外磁場來控....
圖1.3(a)磁阻隨機存儲器結(jié)構(gòu)圖(b)擦寫過程
圖1.2浮柵結(jié)構(gòu)的Flash存儲器結(jié)構(gòu)及工作原理示意圖一代非易失性存儲器磁阻隨機存儲器阻隨機存儲器(MRAM)[3]是由固定磁層,隧穿層和自由磁層構(gòu)成的,如圖的工作原理是通過外磁場來控制自由磁層的磁矩方向,使自由磁層的磁矩層的磁矩方向正向平行或反向平行,從而影響電子通過隧....
圖1.4鐵電存儲器工作原理示意圖
是利用在鐵電材料上施加方向不儲數(shù)據(jù)的[5-7]。如圖1.4所示,當在鐵電生運動并達到一種穩(wěn)定的狀態(tài),該狀態(tài)化向上)。當施加的電場方向發(fā)生改變電場撤銷后,由于原子處于高能階,沒電存儲器不需要靠電壓來保持數(shù)據(jù),為速度快,非易失性,低功耗等優(yōu)點,但并不利于它的高度集成化和高密度存儲....
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