硬盤是當(dāng)今解決低成本、大容量信息記錄的關(guān)鍵技術(shù)之一。自2006年起,磁記錄硬盤已經(jīng)從傳統(tǒng)的水平記錄進(jìn)入了垂直記錄時(shí)代。進(jìn)一步提高垂直磁記錄硬盤的記錄密度需要減小記錄材料的顆粒尺寸而不降低其熱穩(wěn)定性,這需要應(yīng)用比現(xiàn)今工業(yè)上用的CoCrPt垂直記錄材料具有更高磁晶各向異性常數(shù)（K_u）的材料并降低其翻轉(zhuǎn)場(chǎng)�；趆cp-CoPt的介質(zhì)由于不含Cr,可以減少CoPt顆粒中的缺陷,從而具有比CoCrPt介質(zhì)更高的Ku,因此有望代替CoCrPt介質(zhì)進(jìn)一步提高垂直記錄介質(zhì)的記錄密度。另一方面,部分hcp-CoPt的各向異性場(chǎng)（hcp-Co₃Pt的Hk理想值為36 kOe）大于目前磁頭的寫能力,因此需要降低其翻轉(zhuǎn)場(chǎng)。為了解決基于hcp-CoPt記錄材料所面臨的減小顆粒尺寸和降低翻轉(zhuǎn)場(chǎng)的基本問題,本文在更系統(tǒng)地掌握了Ru-SiO₂誘導(dǎo)層制備工藝對(duì)小顆粒尺寸hcp-CoPt磁記錄層的微結(jié)構(gòu)和磁性能影響的基礎(chǔ)上,研究了Pt含量對(duì)hcp-CoPt磁記錄層的影響;為了減小hcp-CoPt的翻轉(zhuǎn)場(chǎng),本文采用垂直交換耦合介質(zhì)（ECC）的思想,利用Pt成... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：137 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

硬盤磁記錄面密度隨時(shí)間的發(fā)展關(guān)系

從物理角度來看，傳統(tǒng)的水平記錄介質(zhì)(Longitudinal Recording, LR錄密度將受到超順磁效應(yīng)的限制。為了突破這個(gè)限制，垂直磁記錄技erpendicular Recording, PR)被提出[4, 5]。垂直記錄的思想于 1975 年由日本asaki 第一次提出[6]。在過去的 8-10 年內(nèi)，由于水平記錄技術(shù)接近其理論極限直記錄技術(shù)引起了越來越多的重視。在垂直記錄介質(zhì)中，磁性顆粒的易磁化方沿膜法線方向（水平記錄介質(zhì)中的磁性顆粒的易磁化軸是在膜面內(nèi)），如圖示[7]。湯如�。盒☆w粒CoPt單層和雙層垂直磁記錄介質(zhì)研究

錄介質(zhì)的關(guān)鍵要求提高硬盤儲(chǔ)存密度時(shí)，就需要進(jìn)一步減小磁記錄介質(zhì)盤磁記錄介質(zhì)中，讀出信號(hào)的信噪比主要由單位記錄粒的尺寸決定（SNR～10logN，N 是顆粒的數(shù)量）[10顆粒之間的相互作用對(duì) SNR 也有影響。單位記錄單元1）表示[11]:231SNRD1Dσ≈ < > + 顆粒尺寸，σ是尺寸分布。由式（1-1）可見，越小的有利于提高 SNR。同時(shí)，為了保持足夠的 SNR，顆粒適當(dāng)。


本文編號(hào)：3441222