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基于Image-J圖像法和電化學法的微弧氧化涂層孔隙率評價

發(fā)布時間:2024-04-13 04:19
  為精確量化和評價微弧氧化(MAO)涂層的孔隙率,在硅酸鹽電解液中通過恒壓MAO方法于AZ31B鎂合金表面制備氧化物涂層。利用線性極化、電化學交流阻抗譜(EIS)和Tafel曲線分別計算涂層的極化電阻并考察其腐蝕防護性能,重點采用Image-J圖像法和兩種極化電阻比值法評價了涂層孔隙率,提出了適合MAO涂層孔隙率的評價方法。結果表明:當氧化電壓由260 V升至290 V時,MAO樣品的自腐蝕電流密度由2.8μA/cm2增加至5.6μA/cm2。結合線性極化電阻和EIS擬合結果,證實涂層腐蝕防護性能隨氧化電壓的升高而降低。同時,Image-J圖像法計算的表面孔隙率由10.14%增加至11.48%,線性極化電阻計算的通孔孔隙率由3.51%增加至7.08%,表明涂層腐蝕防護性能與其孔隙率呈負相關,即隨孔隙率增加而降低。與電化學交流阻抗譜或Tafel曲線所得極化電阻比值法相比,簡單的線性極化電阻比值法更適合量化MAO涂層的通孔孔隙率,而Image-J圖像法適合通過MAO涂層的表面SEM像量化表面孔隙率及孔徑大小的分布情況。

【文章頁數(shù)】:9 頁

【文章目錄】:
1 實驗
2 結果與討論
    2.1 SEM像及Image-J圖像
    2.2 電化學及孔隙率
        2.2.1 極化曲線
        2.2.2 交流阻抗譜
        2.2.3 電化學孔隙率
    2.3 討論
        2.3.1 Image-J圖像法孔隙率分析原則
        2.3.2 電化學法孔隙率評價方法
        2.3.3 Image-J圖像法與電化學法孔隙率的適用性
3 結論



本文編號:3952473

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