基材偏壓對(duì)中頻磁控濺射氮化鉻薄膜微觀結(jié)構(gòu)和性能的影響
發(fā)布時(shí)間:2023-10-08 18:05
采用中頻磁控濺射系統(tǒng)在手機(jī)不銹鋼裝飾件上沉積氮化鉻薄膜,利用X射線衍射、掃描電鏡、納米壓痕儀和球盤摩擦儀考察了基材偏壓對(duì)薄膜微觀結(jié)構(gòu)、沉積速率、顯微硬度和摩擦性能的影響。結(jié)果表明:氮化鉻薄膜主要為面心立方晶相結(jié)構(gòu),存在(200)晶面擇優(yōu)取向;薄膜表面晶粒呈顆粒狀且均勻致密地沉積在基材上,截面為柱狀晶結(jié)構(gòu)且柱狀晶之間結(jié)合緊密;沉積速率隨基材偏壓的增大而增大;在基材偏壓為-100 V時(shí),薄膜顯微硬度最高(為1 207 HV),摩擦因數(shù)最小(為0.31)。
【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)
【文章目錄】:
1 實(shí)驗(yàn)
1.1 薄膜制備
1.2 表征與性能測(cè)試
2 結(jié)果與討論
2.1 基材偏壓對(duì)薄膜組織結(jié)構(gòu)和沉積速率的影響
2.2 基材偏壓對(duì)薄膜顯微硬度和摩擦學(xué)性能的影響
3 結(jié)論
本文編號(hào):3852524
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1 實(shí)驗(yàn)
1.1 薄膜制備
1.2 表征與性能測(cè)試
2 結(jié)果與討論
2.1 基材偏壓對(duì)薄膜組織結(jié)構(gòu)和沉積速率的影響
2.2 基材偏壓對(duì)薄膜顯微硬度和摩擦學(xué)性能的影響
3 結(jié)論
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