發(fā)布時(shí)間：2022-01-03 16:16

　　利用強(qiáng)流脈沖電子束（HCPEB）轟擊哈氏合金X表面對其進(jìn)行改性,并對其顯微組織進(jìn)行分析和討論。利用掃描電子顯微鏡（SEM）觀察腐蝕后試樣形貌,利用電子背散射衍射（EBSD）觀察未腐蝕試樣形貌。結(jié)果表明:從掃描電鏡照片可以看到,未轟擊試樣晶界被腐蝕,轟擊后試樣表面存在約為2μm的重熔層,腐蝕程度減輕,晶界處出現(xiàn)顆粒狀碳化物;從EBSD結(jié)果可知,轟擊5次試樣晶粒尺寸最小,轟擊5次和10次試樣晶粒取向性更好,多為[101]和[110]。實(shí)驗(yàn)表明強(qiáng)流脈沖電子束轟擊能夠使哈氏合金X表面出現(xiàn)重熔層,并改變其晶粒大小和晶體取向。 

【文章來源】：稀有金屬材料與工程. 2020,49(08)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

不同轟擊次數(shù)的試樣的SEM照片

哈氏合金表面經(jīng)HCPEB轟擊的過程中，表面被瞬間加熱融化，并形成重熔層。由于碳化物的熔點(diǎn)高于基體，所以碳化物后發(fā)生融化；當(dāng)被轟擊的基體融化后，碳等元素?cái)U(kuò)散到合金中，C元素的擴(kuò)散速度要明顯快于Cr元素[13]。經(jīng)過快速冷卻，奧氏體過飽和。并且，因?yàn)镠CPEB轟擊帶來的巨大熱量，奧氏體相變驅(qū)動(dòng)力隨之增大，從而大大提高奧氏體形核的幾率；而奧氏體往往以擴(kuò)散機(jī)制生長[14]，又因?yàn)镠CPEB作用時(shí)間極短，因而晶粒來不及長大，所以HCPEB轟擊有細(xì)化晶粒的效果。而奧氏體形成之后，C濃度過高導(dǎo)致C元素發(fā)生擴(kuò)散，晶界作為C元素?cái)U(kuò)散的有效媒介，使C元素沿其向合金表面擴(kuò)散，最終在晶界交界處形成聚集碳化物顆粒。圖3 轟擊1次試樣晶粒微觀形貌和相對應(yīng)A、B區(qū)域的EDS分析

轟擊1次試樣晶粒微觀形貌和相對應(yīng)A、B區(qū)域的EDS分析

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Ni-Cr-W基高溫合金二次M23C6析出行為[J]. 柏廣海,胡銳,李金山,鐘宏,寇宏超,傅恒志.  稀有金屬材料與工程. 2011(10)



本文編號：3566583