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面向曲面拋光的多方向性軌跡規(guī)劃

發(fā)布時(shí)間:2021-07-07 14:30
  拋光軌跡規(guī)劃是自動(dòng)化拋光中十分關(guān)鍵的一個(gè)環(huán)節(jié),合理的拋光軌跡規(guī)劃是獲得高質(zhì)量加工表面的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的曲面拋光軌跡規(guī)劃方法由于軌跡的運(yùn)動(dòng)模式比較單一,容易導(dǎo)致拋光工件表面的拋光材料去除量不均勻,從而降低拋光工件的表面質(zhì)量。針對(duì)三維曲面的拋光工藝要求拋光軌跡盡量完整、均勻且多方向性地覆蓋在三維曲面的表面上。針對(duì)上述問(wèn)題,本文提出面向曲面拋光的多方向拋光運(yùn)動(dòng)模型,并結(jié)合保角參數(shù)化算法,實(shí)現(xiàn)多方向性拋光運(yùn)動(dòng)模型在三維網(wǎng)格曲面上的軌跡規(guī)劃。根據(jù)保角參數(shù)化算法中的映射變形關(guān)系和拋光工藝的理論模型,調(diào)節(jié)多方向拋光運(yùn)動(dòng)模型的參數(shù),從而達(dá)到控制拋光精度的目的。本文主要包括以下內(nèi)容:(1)針對(duì)三維拋光軌跡生成問(wèn)題,提出了基于網(wǎng)格曲面參數(shù)化的軌跡規(guī)劃方法。利用保角參數(shù)化算法,實(shí)現(xiàn)拋光運(yùn)動(dòng)模型在三維網(wǎng)格曲面上的軌跡規(guī)劃。保角參數(shù)化算法首先將三維網(wǎng)格曲面映射變換到平面參數(shù)域,然后在平面參數(shù)域內(nèi)生成拋光運(yùn)動(dòng)模型的軌跡,最后將生成的平面參數(shù)軌跡逆映射回三維網(wǎng)格曲面。(2)建立了面向曲面拋光的多方向性拋光軌跡的參數(shù)化模型;诙喾较驋伖膺\(yùn)動(dòng)模型的數(shù)學(xué)定義,分析軌跡參數(shù)并建立參數(shù)化模型。參數(shù)化模型包括余弦模型、恒半徑擺線... 

【文章來(lái)源】:華南理工大學(xué)廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】:101 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

面向曲面拋光的多方向性軌跡規(guī)劃


常用的自動(dòng)化拋光設(shè)備

軌跡圖,銑削加工,軌跡,理論模型


第一章 緒論柔性接觸工具,通過(guò)柔性接觸工具與工件表面之間的相互作用力移除表面材料除量受多重因素影響,例如,主軸轉(zhuǎn)速、拋光系統(tǒng)的運(yùn)動(dòng)進(jìn)給速度、拋光工具度、拋光工具的材料屬性、拋光工件的材料類型、拋光接觸壓力、接觸區(qū)域的以及拋光駐留時(shí)間等多種因素均會(huì)影響拋光材料去除深度[8],計(jì)算模型復(fù)雜。因工藝參數(shù)可控的拋光工藝?yán)碚撃P,然后根?jù)拋光理論模型來(lái)控制和優(yōu)化拋光拋光工件表面材料的均勻去除,進(jìn)而提高拋光工件的表面質(zhì)量,是曲面自動(dòng)化中的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。目前的研究中,主要的拋光理論模型包括材料去除輪廓模型去除深度模型[10]和接觸區(qū)域疊加模型[11]等,主要應(yīng)用在行切軌跡和環(huán)切軌跡當(dāng)調(diào)整軌跡間的行距值,從而控制軌跡間的重疊率,達(dá)到均勻拋光的目的。但是理論模型在多方向性拋光軌跡上的應(yīng)用仍然十分有限,如何利用拋光理論模型方向性拋光軌跡的參數(shù),是一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。

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拋光軌跡是拋光工具最直接的運(yùn)動(dòng)表現(xiàn)方式,拋光軌跡的形式對(duì)拋光工件的表面質(zhì)量具有重要的影響。隨著 CAD/CAM 技術(shù)的發(fā)展,拋光軌跡的規(guī)劃方法逐漸豐富起來(lái)。通過(guò)合理的拋光軌跡規(guī)劃方法,來(lái)達(dá)到控制拋光精度和提高拋光質(zhì)量的目的,是當(dāng)前關(guān)于自動(dòng)化拋光技術(shù)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。1) 拋光軌跡生成算法目前的商用機(jī)器人軟件集成了許多傳統(tǒng)的軌跡規(guī)劃功能。ABB 公司開發(fā)的RobotStudio 軟件實(shí)現(xiàn)的軌跡規(guī)劃方法包括等參數(shù)線法、截平面法和投影法,如圖 1-3 所示。投影法直接將軌跡投影到加工表面上,以表面投影線作為軌跡線。等參數(shù)線法以參數(shù)面 uv 方向中的某個(gè)方向作為軌跡進(jìn)給方向,另一方向作為軌跡偏置方向進(jìn)行軌跡規(guī)劃,對(duì)于參數(shù)線分布差較大曲面,規(guī)劃效果不好。截平面法則采用一組平行或相交的平面與加工表面相交,產(chǎn)生的截線作為軌跡線,對(duì)于復(fù)雜曲面容易出現(xiàn)軌跡偏置量不均勻的情況。

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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[2]擺線加工軌跡的進(jìn)給速度離線優(yōu)化方法研究[D]. 蔣飛.華南理工大學(xué) 2016
[3]基于保角參數(shù)化的自由曲面拋光軌跡規(guī)劃研究[D]. 全照敏.華南理工大學(xué) 2016
[4]自動(dòng)拋光技術(shù)及其工藝參數(shù)優(yōu)化研究[D]. 程斌.大連理工大學(xué) 2015
[5]離軸三反光學(xué)自由曲面拋光工藝研究[D]. 黃登鵬.吉林大學(xué) 2015
[6]非球面CCOS拋光軌跡規(guī)劃研究[D]. 王宏一.吉林大學(xué) 2015
[7]粘彈性材料研拋工具的拋光加工[D]. 袁博.吉林大學(xué) 2015
[8]基于五軸加工中心的復(fù)雜曲面拋光技術(shù)[D]. 馮德洋.大連理工大學(xué) 2014
[9]三角網(wǎng)格曲面參數(shù)化技術(shù)研究[D]. 晏冬梅.南京航空航天大學(xué) 2005



本文編號(hào):3269802

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