隨著電子工業(yè)向高集成度和小型化發(fā)展,電子器件的功率密度也在隨之不斷升高,這就導(dǎo)致了高的電流密度和大的熱能釋放,從而要求電子器件中互連焊點所能承受的工作溫度隨之升高。尤其對于諸如航空航天、汽車電子、油氣勘探中的深井探測等這類在苛刻環(huán)境條件下工作的電子器件而言,要求更為苛刻。目前,電子器件中所使用的大部分芯片由硅（Si）制成,由于硅自身的物理條件限制,它不能在高于150℃的條件下穩(wěn)定工作。近些年,碳化硅（Si C）,氮化鎵（Ga N）憑借其寬的禁帶寬度、高飽和電子漂移速率、大的臨界擊穿強度、和高熱傳導(dǎo)率等優(yōu)異性能成為了功率半導(dǎo)體最理想的材料。最重要的是,Si C可以在超過600℃的情況下依然保持良好的性能。因此,需要尋找合適的芯片貼裝材料來使Si C功率器件在高溫下得以將其優(yōu)異的性能發(fā)揮出來。Cu@Sn核殼結(jié)構(gòu)粉體作為一種新型釬料可以滿足低溫回流、高溫服役的要求,是一種理想的高溫釬料。課題首先對已有的Cu@Sn核殼結(jié)構(gòu)粉體制備工藝進行了優(yōu)化,具體對制備工藝中的各項重要參數(shù)做了細致的實驗探究,總結(jié)出了工藝參數(shù)與粒徑大小之間的關(guān)系,使優(yōu)化后的Cu@Sn核殼結(jié)構(gòu)粉體制備工藝能夠適用于不同粒徑大小... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

碳化硅器件納米銀燒結(jié)封裝過程

圖 1-2 Ag-Sn 體系的 TLP 連接過程[30]Mokhtari 等人[31]研究了共晶 Sn-Bi 體系，并研究了 Cu 顆粒的加入對釬料的影響。Cu 的加入使釬料熔點由 139 ℃提高到 201 ℃，并且能夠消耗釬料中的 S并與之反應(yīng)生成 Cu-Sn IMCs，焊點中出現(xiàn) Bi 富集相。結(jié)構(gòu)示意如圖 1-3 所示。圖 1-3 共晶 Sn-Bi 釬料向 Cu-Sn IMCs 轉(zhuǎn)變示意圖[31]Lee 等人[32]研究了 Cu/In，Au/In 和 Cu-Sn TLP 連接的可靠性問題。結(jié)果顯示Cu/In 釬料的剪切強度更高，并且對于陶瓷基底 Cu/In 焊點在熱循環(huán)測試中表現(xiàn)[33]

哈爾濱工業(yè)大學(xué)工程碩士學(xué)位論文圖 1-2 Ag-Sn 體系的 TLP 連接過程[30]Mokhtari 等人[31]研究了共晶 Sn-Bi 體系，并研究了 Cu 顆粒的加入對釬料的影響。Cu 的加入使釬料熔點由 139 ℃提高到 201 ℃，并且能夠消耗釬料中的 S并與之反應(yīng)生成 Cu-Sn IMCs，焊點中出現(xiàn) Bi 富集相。結(jié)構(gòu)示意如圖 1-3 所示。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]化學(xué)鍍錫工藝參數(shù)對沉積速率、鍍層厚度及表面形貌的影響[J]. 徐磊,何捍衛(wèi),周科朝,劉洪江.  材料保護. 2009(05)
[2]化學(xué)鍍錫液中添加劑的影響研究[J]. 孫武,李寧,蘇曉霞,趙杰.  材料保護. 2007(01)
[3]化學(xué)鍍錫反應(yīng)歷程的研究進展[J]. 趙杰,李寧,傅石友.  電鍍與涂飾. 2006(08)
[4]低溫化學(xué)鍍錫工藝條件對錫層厚度的影響[J]. 孫武,李寧,趙杰,蘇曉霞.  電鍍與環(huán)保. 2006(03)



本文編號：3215862