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基于單純形重心設(shè)計研究電解液對微弧氧化膜的影響

發(fā)布時間:2020-06-18 06:52
【摘要】:本論文采用單純形重心設(shè)計改變Na_2Si O_3(_1x)、KF(x_2)、Na OH(_3x)和Na Al O_2(_4x)四種組分的濃度配比,在AZ91D鎂合金和純鎂基體上制備微弧氧化膜層。建立了膜層厚度_1y(μm),點(diǎn)滴完全變白時間y _2(s)以及腐蝕電流密度y _3(A/cm~2)與各組分百分比之間的回歸方程,確定最優(yōu)的電解液配方,并研究了在不同的電解液體系中各組分及其搭配對膜層的組織和性能的影響。研究結(jié)果表明,基于單純形重心設(shè)計得到的試驗(yàn)結(jié)果建立的回歸方程都非常顯著。當(dāng)電解液中只存在KF時,AZ91D膜層最厚為38μm;當(dāng)KF比例為0.48,Na OH比例為0.52時,純鎂膜層最厚為22.341μm。當(dāng)Na_2Si O_3比例為0.482,KF比例為0.518時,AZ91D膜層點(diǎn)滴耐蝕性最好,點(diǎn)滴完全變白時間達(dá)到166.67s;當(dāng)KF比例為0.59,Na OH比例為0.41時,純鎂膜層點(diǎn)滴耐蝕性最好,點(diǎn)滴完全變白時間達(dá)到162.41 s。當(dāng)KF比例為0.322,Na OH比例為0.309,Na Al O_2比例為0.369時,AZ91D膜層電化學(xué)耐蝕性最好,腐蝕電流密度最低,約為4.283?10~(-8)A/cm~2;當(dāng)只存在KF時,純鎂膜層電化學(xué)耐蝕性最好,腐蝕電流密度最低,約為5.15×10~-88 A/cm~2。AZ91D和純鎂的成膜性主要受電解液中的主要成膜物質(zhì)以及KF影響。為了得到成膜性好的膜層,對于AZ91D,電解液中應(yīng)只含有一種主要成膜物質(zhì),另外在Na Al O_2體系中KF的濃度應(yīng)不超過15 g/L。對于純鎂,電解液中應(yīng)含有主要成膜物質(zhì),且KF的濃度不可以高于或等于主鹽的濃度,另外在Na_2Si O_3-Na Al O_2體系中添加少量Na OH。KF和Na OH雖然能夠顯著提高膜層的厚度,但電解液中缺少主要成膜物質(zhì)時,成膜性很差,獲得的膜層粗糙度大、疏松且裂紋較多,故耐蝕性較差。Na_2Si O_3和Na Al O_2結(jié)合會形成膠體,增大了電解液的粘性,造成膜層不均勻,且存在較多微裂紋,導(dǎo)致其耐蝕性一般。微弧氧化膜層中均含有Mg O相。電解液中各組分會改變AZ91D和純鎂膜層的相組成。加入Na_2Si O_3會使膜層中含有Mg_2Si O_4相;加入Na Al O_2會使膜層中含有Mg Al_2O_4相;當(dāng)電解液中存在KF時,膜層中出現(xiàn)了Mg F_2相;加入Na OH并不會改變膜層中的相組成。根據(jù)膜層的性能以耐蝕性為主兼顧膜層厚度的原則,選出最優(yōu)的電解液配方:對于AZ91D,在Na Al O_2體系中得到的膜層孔徑最小且均勻分布,較致密且含有尖晶石Mg Al_2O_4相,故最優(yōu)的電解液配方是Na Al O_2、KF和Na OH的比例分別為0.369、0.322和0.309。對于純鎂,在只存在KF的電解液中制備的膜層呈“鱗片狀”緊密堆疊,無明顯孔洞,致密且無明顯微裂紋,并且含有Mg F_2相,故最優(yōu)的電解液配方是只存在KF。
【學(xué)位授予單位】:蘭州理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TG174.451

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