不同環(huán)境對AZ61鎂合金大氣腐蝕的影響
【圖文】:
第5期龔沛,等:不同環(huán)境對AZ61鎂合金大氣腐蝕的影響堿式碳酸鎂的(111)衍射峰,水合堿式碳酸鎂分子式為:Mg5(CO3)4(OH)2·(H2O)4(ICDD卡片號為70-1177)。圖2AZ61在不同大氣環(huán)境下掛片2個月腐蝕層及基材粉末的XRD圖譜Fig.2XRDpatternsofthecorrosionlayerexposedfor2monthsandpowderofAZ61alloysindifferentlocations祁敏佳[10-13]等人的試驗研究顯示,有氯化鎂參與的條件下,可以在60℃下發(fā)生如下反應:MgCl2+Na2CO3→Mg(HCO3)2+CO2(1)上述產(chǎn)物干燥后得到正碳酸鎂(MgCO3·3H2O),正碳酸鎂較不穩(wěn)定,在熱帶海邊陽光爆曬下容易轉(zhuǎn)化成水合堿式碳酸鎂。2.4不同大氣環(huán)境下AZ61掛片腐蝕層元素分析為了進一步分析腐蝕層的腐蝕產(chǎn)物,,對不同大氣環(huán)境下AZ61掛片腐蝕層進行了X射線光電能譜(XPS)分析。腐蝕層較厚的掛片未能檢測到Mg2p峰,原因是XPS分析深度很淺,表面沉降層起到阻擋的作用。為了分析腐蝕產(chǎn)物,排除表面沉降層的影響,先在XPS中對樣品腐蝕層表面進行刻蝕。圖3(a)是掛片于江津的AZ61樣品刻蝕后的XPS廣譜,圖3(b)~(d)分別是掛片于江津AZ61樣品的Mg(2p)、O(1s)和C(1s)的XPS分峰。結(jié)果顯示,腐蝕層的Mg、O和C含量較高,H原子
用。為了分析腐蝕產(chǎn)物,排除表面沉降層的影響,先在XPS中對樣品腐蝕層表面進行刻蝕。圖3(a)是掛片于江津的AZ61樣品刻蝕后的XPS廣譜,圖3(b)~(d)分別是掛片于江津AZ61樣品的Mg(2p)、O(1s)和C(1s)的XPS分峰。結(jié)果顯示,腐蝕層的Mg、O和C含量較高,H原子由于散射因子很小而沒有顯現(xiàn),由于基體中的Al含量低,Al2p峰很弱;表面Cl含量較少,所以Cl(2p)峰值也較弱。圖3江津掛片AZ61樣品(2個月)刻蝕后的XPS擬合圖譜Fig.3XPSspectrumofthecorrosionproductsformedontheAZ61alloyexposedfor2months(Jiangjin)127
【參考文獻】
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