【摘要】：利用背散射電子衍射微織構(gòu)分析技術(shù)及X射線衍射織構(gòu)分析技術(shù),結(jié)合對(duì)取向硅鋼薄帶再結(jié)晶各階段退火板磁性能的分析,系統(tǒng)研究了其形變?cè)俳Y(jié)晶過(guò)程中的組織及織構(gòu)演變.結(jié)果表明,薄帶內(nèi)原始高斯晶粒取向發(fā)生繞TD軸向{111}〈112〉的轉(zhuǎn)變,同時(shí)晶粒取向還表現(xiàn)出繞RD軸的附加轉(zhuǎn)動(dòng),這種附加轉(zhuǎn)動(dòng)及其導(dǎo)致的表層微弱立方形變組織可為再結(jié)晶立方織構(gòu)的形成提供核心.退火各階段樣品磁性能的變化對(duì)應(yīng)了{(lán)110}-{100}〈001〉有益織構(gòu)及其他織構(gòu)的強(qiáng)弱轉(zhuǎn)變以及再結(jié)晶晶粒不均勻程度的變化,綜合織構(gòu)類型及晶粒尺寸的變化推斷發(fā)生了二次及三次再結(jié)晶過(guò)程.升溫過(guò)程再結(jié)晶織構(gòu)演變主要體現(xiàn)了織構(gòu)誘發(fā)機(jī)制,也即與基體存在繞〈001〉軸取向關(guān)系的晶粒長(zhǎng)大優(yōu)勢(shì)結(jié)合高斯織構(gòu)的抑制效應(yīng)發(fā)揮作用;而在高溫長(zhǎng)時(shí)間保溫后三次再結(jié)晶過(guò)程,{110}低表面能誘發(fā)異常長(zhǎng)大發(fā)揮主要作用使得最終得到鋒銳的高斯織構(gòu).
[Abstract]:By means of back scattering electron diffraction microtexture analysis technique and X-ray diffraction texture analysis technique, the microstructure and texture evolution in deformation recrystallization process of oriented silicon steel strip annealed at each stage of recrystallization have been systematically studied by means of the analysis of magnetic properties of the annealed plate at different stages of recrystallization of oriented silicon steel strip. The results show that the original grain orientation of Gao Si in the thin strip changes around the TD axis {111} < 112 >, and the grain orientation also shows additional rotation around the RD axis. This additional rotation and its surface weak cubic deformation structure can provide the core for the formation of recrystallized cubic texture. The changes in magnetic properties of the samples at various annealing stages correspond to the changes in the strength of beneficial texture and other textures and the degree of heterogeneity of recrystallized grains. The secondary and tertiary recrystallization took place according to the change of texture type and grain size. The evolution of recrystallization texture during the heating process mainly reflects the mechanism of texture induction, that is to say, the grain growth advantage of < 001 > axial orientation relation with the matrix and the inhibition effect of Gao Si texture play an important role in the evolution of recrystallization texture. In the process of recrystallization after high temperature and long time holding, the abnormal growth induced by {110} low surface energy plays a major role in obtaining the sharp texture of Gao Si.
【作者單位】： 北京科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51071024)!
【分類號(hào)】：TG142.1

【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2460526