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硒化鋅的化學(xué)機(jī)械拋光研究

發(fā)布時間:2018-11-25 21:32
【摘要】:采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的方法,自制拋光液作為研磨介質(zhì),對(50×50×1.5)mm3硒化鋅(ZnSe)晶片拋光。通過分析拋光液的pH值、拋光盤轉(zhuǎn)速、拋光液的磨料濃度、壓力、拋光時間和拋光液流量等參數(shù)對CMP的影響,組合出最佳工藝參數(shù),并通過原子力顯微鏡和平晶測試方法對最佳工藝參數(shù)獲得的ZnSe晶片進(jìn)行測試,實驗結(jié)果顯示,ZnSe晶片拋光后的表面粗糙度Ra為0.578 nm,平面面形誤差小于1.8μm。
[Abstract]:The (50 脳 50 脳 1. 5) mm3 zinc selenide (ZnSe) wafer was polished by means of chemical-mechanical polishing (CMP) with self-made polishing solution. By analyzing the effect of pH value of polishing fluid, rotation speed of polishing disc, abrasive concentration, pressure, polishing time and flow rate of polishing liquid on CMP, the optimum process parameters are obtained. The ZnSe wafer obtained by the optimum process parameters was tested by atomic force microscope (AFM) and crystal test method. The experimental results show that the surface roughness Ra of the ZnSe wafer is less than 1.8 渭 m after polishing the surface roughness of the ZnSe wafer with a plane shape error of 0.578 nm,.
【作者單位】: 山西省光電信息與儀器工程技術(shù)研究中心;中北大學(xué)儀器科學(xué)與動態(tài)測試教育部重點實驗室;
【基金】:國際科技合作項目(2013DFR10150)
【分類號】:TG175

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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9 王U

本文編號:2357436


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