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不同硅含量鋁合金的微弧氧化及膜層特性研究

發(fā)布時(shí)間:2018-10-16 19:54
【摘要】:分別對含硅量為0.5%、5.0%、9.0%和12.0%的4種鋁合金在不同微弧氧化(MAO)模式下處理15 min的成膜過程、膜層特征及能耗等進(jìn)行了研究,通過SEM、EDS、XRD等對膜層進(jìn)行了表征.結(jié)果表明:恒流條件下,隨基體中硅含量的增加,合金的正向電壓上升速率逐漸減緩,起弧前的等待時(shí)間顯著延長,起弧電壓和放電反應(yīng)階段的電壓值也逐漸減小,膜層的平均生長速率明顯下降,膜層表面的放電通道孔數(shù)目逐漸增多;恒壓條件下,基體中硅含量對鋁合金MAO的影響相對較弱,當(dāng)硅元素增加時(shí),合金的正、負(fù)向電流密度均逐漸增大,膜層的生長速率漸漸減小,但它們的表面形貌相差較小;各Al-Si合金在恒流和恒壓兩種MAO模式下生成的膜層均主要由γ-Al2O3、α-Al2O3及莫來石組成,且隨基體中硅的增加,Al2O3的含量逐漸下降;相同MAO模式下,各合金生成的膜層的單位體積能耗值隨其Si含量的增加而逐漸增大;此外,同種Al-Si合金在不同氧化模式下制得的MAO膜層的特征及能耗差異較大.
[Abstract]:The film-forming process, film characteristics and energy consumption of four kinds of aluminum alloys containing 0.5% and 12.0% Si in different micro-arc oxidation (MAO) modes for 15 min were studied, respectively. The films were characterized by SEM,EDS,XRD. The results show that under constant current condition, with the increase of silicon content in the matrix, the rising rate of the forward voltage of the alloy decreases gradually, the waiting time before starting arc is prolonged significantly, and the voltage of the starting arc voltage and the discharge reaction phase decrease gradually. The negative current density increased gradually and the growth rate of the film gradually decreased, but the surface morphology of each Al-Si alloy was smaller, and the films formed in constant current and constant voltage MAO modes were mainly composed of 緯-Al2O3, 偽-Al2O3 and mullite. With the increase of silicon content in the matrix, the content of Al2O3 decreases gradually, and the unit volume energy consumption of the film layer increases with the increase of Si content in the same MAO mode. The characteristics and energy consumption of MAO films prepared by the same Al-Si alloy under different oxidation modes are quite different.
【作者單位】: 華南理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】:廣東省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(S2013010015211) 華南理工大學(xué)中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金資助項(xiàng)目(2012ZZ0011)~~
【分類號】:TG174.4

【參考文獻(xiàn)】

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7 朱e,

本文編號:2275465


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