【摘要】：用脈沖激光氣相沉積法在金屬鉬基底上制備鋯薄膜,并用SEM,AFM,XRD等手段分析薄膜表面形貌和晶體結(jié)構(gòu),研究了脈沖激光頻率對薄膜表面形貌和晶體結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明:隨著激光脈沖頻率的提高鋯薄膜表面液滴數(shù)目增加,液滴尺寸增大,薄膜的沉積速率顯著降低。薄膜表面的平均納米顆粒尺寸,隨著頻率的提高呈現(xiàn)先增大后減小的規(guī)律。從XRD數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn),較高的脈沖頻率極大地促進了薄膜的結(jié)晶性生長;但是,頻率變化對Zr薄膜晶體結(jié)構(gòu)、晶面擇優(yōu)生長的影響并不明顯,薄膜呈現(xiàn)典型的hcp結(jié)構(gòu)且不隨頻率的變化改變。
[Abstract]:Zirconium thin films were prepared on molybdenum substrates by pulsed laser vapor deposition. The surface morphology and crystal structure of the films were analyzed by means of SEM,AFM,XRD, and the effects of pulse laser frequency on the surface morphology and crystal structure of the films were studied. The results show that with the increase of laser pulse frequency, the number of droplets on the surface of zirconium films increases, the droplet size increases, and the deposition rate of the films decreases significantly. The average nanocrystalline size of the film surface increases first and then decreases with the increase of the frequency. From the XRD data, it is found that the high pulse frequency greatly promotes the crystal growth of the Zr thin film, but the influence of the frequency change on the crystal structure and the preferential growth of the crystal plane of the Zr thin film is not obvious. The film presents a typical hcp structure and does not change with frequency.
【作者單位】： 中國工程物理研究院核物理與化學研究所;
【分類號】：TG174.4

【共引文獻】

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2 黃鵬;脈沖激光沉積制備一維金屬氧化物納米材料及其性質(zhì)研究[D];蘭州大學;2014年

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2 易美林;Pt基BiFeO_3鐵電磁薄膜的脈沖激光沉積及Tb摻雜改性研究[D];武漢理工大學;2013年

3 黃才龍;Zr基核材料的制備工藝、結(jié)構(gòu)和性能研究[D];南京航空航天大學;2013年

4 陳瑋;透明導(dǎo)電ZnO薄膜的制備及其SPP調(diào)制器研究[D];華中科技大學;2013年

5 羅君;ZnO納米晶的表面改性及其紫外光電導(dǎo)性能的研究[D];浙江大學;2014年

6 門天宇;PLD法制備環(huán)形器用微米級YIG薄膜[D];杭州電子科技大學;2013年

7 邰佳麗;脈沖激光沉積法制備Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y四元合金薄膜及其性能研究[D];湖北大學;2014年

8 李華;Zr-4合金各向異性單軸棘輪行為研究[D];天津大學;2013年

9 劉鵬;Mn摻雜氧化鋅薄膜及電阻開關(guān)器件的研究[D];暨南大學;2014年

10 王欣;激光表面改性核電Zr-1Nb合金的組織與性能研究[D];北京工業(yè)大學;2014年

【二級參考文獻】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 邸英浩,曹曉明;真空鍍膜技術(shù)的現(xiàn)狀及進展[J];天津冶金;2004年05期

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本文編號：2201770