發(fā)布時(shí)間：2021-09-02 16:33

　　侵徹彈在介質(zhì)中的炸點(diǎn)深度對(duì)彈藥的毀傷效果的影響極其顯著,因此侵徹深度的測(cè)量便成為侵徹引信設(shè)計(jì)和測(cè)試的一項(xiàng)非常重要的內(nèi)容。高速攝影法和脈沖X射線高速攝影法等傳統(tǒng)的引信測(cè)試方法不適合侵徹深度測(cè)試,研究一種侵徹深度測(cè)試技術(shù)已經(jīng)成為侵徹引信試驗(yàn)亟待解決的問(wèn)題。磁場(chǎng)具備對(duì)大部分物質(zhì)的穿透性,其產(chǎn)生、控制和探測(cè)都比較簡(jiǎn)單。在測(cè)試靶板內(nèi)部建立調(diào)制磁場(chǎng),探測(cè)磁場(chǎng)在彈丸侵徹路徑上的變化規(guī)律,并以此來(lái)表征侵徹深度。本文主要包括以下幾個(gè)內(nèi)容：（1）介紹了硬目標(biāo)侵徹引信的相關(guān)知識(shí),分析了傳統(tǒng)的引信測(cè)試方法在侵徹深度的測(cè)試中存在的缺陷,提出一種基于磁探測(cè)技術(shù)的硬目標(biāo)侵徹引信炸點(diǎn)深度測(cè)量的新方法。（2）設(shè)計(jì)了磁場(chǎng)激勵(lì)的方法,產(chǎn)生隨靶板深度變化的調(diào)制磁場(chǎng),并對(duì)磁場(chǎng)的屏蔽效應(yīng)進(jìn)行了計(jì)算和仿真,得到了靶板剖面及軸線上磁場(chǎng)的分布規(guī)律。（3）設(shè)計(jì)了磁場(chǎng)測(cè)量裝置的硬件電路,闡述了各模塊電路設(shè)計(jì)中的細(xì)節(jié)。（4）完成了對(duì)課題設(shè)計(jì)方案的測(cè)試實(shí)驗(yàn),與仿真結(jié)果進(jìn)行了比較,驗(yàn)證了方案的可行性,并對(duì)后期的侵徹深度的靶場(chǎng)測(cè)試進(jìn)行了分析與建議。本文提出的基于磁探測(cè)技術(shù)的硬目標(biāo)侵徹引信炸點(diǎn)深度測(cè)試的新方法,已得到仿真及實(shí)驗(yàn)的驗(yàn)證。驗(yàn)證結(jié)果表明：... 

【文章來(lái)源】：西安工業(yè)大學(xué)陜西省

【文章頁(yè)數(shù)】：59 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

單個(gè)線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)在軸截面上的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布

生磁場(chǎng)的大小與導(dǎo)線中的電流強(qiáng)度成正比關(guān)系。??利用Ａｎｓｏｆｔ?Ｍａｘｗｅｌｌ軟件，設(shè)置導(dǎo)線材料為銅，直徑１０ｍｍ，線圈半徑為２００ｍｍ，??線圈中激勵(lì)電流為１Ａ＊４００匯。如圖３．１，３．２所示，分別為通過(guò)軸截面上的磁感應(yīng)強(qiáng)度分??布Ｗ及軸線方向上磁感應(yīng)強(qiáng)度分量＂＂。??１??？?４．５３１７６－００４?Ｖ?Ｉ?Ｉ?／??畫(huà)??■?３．２７４１６－００５??１．５６５８６－００８??圖義１單個(gè)線圏產(chǎn)生碟場(chǎng)在軸截面上的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布（ｌ＝１Ａ＊４００應(yīng)）??Ａ巧ｓｏｆｔ?ＬＬＣ?ＸＹ?Ｐｌｏｔ?１?ＭａｘｗｅＨ３０Ｄｅｓｉｇｎ１??４加＾?＾品品品—－??４．４０?－?一?—?ｓｉｎｇｌｅＯｍｍ＾ｌ??－?５＾ｐ１?：?ＬａｓｔＡｄａｐｔｉｖｅ??屯如＾?一Ｉ??４．００?￣?ｊＴ?Ｎ．??Ｈ?／?＼??｜３胤氣?／?＼??３２。＾／?…；＼??３?００?二?’．?■?，｜?＼??２＇８％．〇?日?１０，００?２０．００?３０．００?４０．００?５０．００?６０．００??Ｄｉｓｔａｎｃｅ?折！訊?Ｉ??圖３．?２單個(gè)線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)在軸線方向上磁感應(yīng)強(qiáng)度分量??由圖３．１可知，單個(gè)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)，在線圈的軸線上，磁場(chǎng)的方向基本沿軸的方向，??由圖３．２可看出

差是輸出變換與被測(cè)輸入磁場(chǎng)值的變換之間的比值的誤差。因此，在測(cè)量數(shù)據(jù)之前要對(duì)磁??阻傳感器進(jìn)行全面的補(bǔ)償。磁探測(cè)裝置中利用磁阻傳感器ＨＭＣ１００１來(lái)測(cè)量靴板中的磁場(chǎng)??信息，磁阻傳感器ＨＭＣ１００１在置位／復(fù)位后的信號(hào)輸出曲線如圖５．１所示。??４０?????ＩＩＩ＂??？咖．．１?酬瞻Ｉ＂？???？－ｉｉ■ｉｉｉ？…＂■閨ｉｉｉｉ＂ｉｉ■ｉｉ＂ｉｉｉ■咖…ｉ＂？＇＂ｉｉｉｉｉｉｉｉ＂．?＇ｉ＇?「ｎ＇??ｖｏｆｃａｖ?＾妨１／１?施２）；?Ｉ?：?＇??ｓ?Ｉ?ｉ?；??掛巧ｓｐ饑巧．?ｊ?＇?ｊ?＇?ｉ?＇?ｒｅ￥ｐｏｒｉ巧??她班Ｉｒ妨兇?！?１?ｉ?ａ艙Ｈｓｅｔ?一＿＿＾??＞?０?＇?－Ｊ?１．．．．．—?＿Ｌ??臣?ｆ?ｂｆｉｄｇｅ?！?ｉ?ｉ??ｉ?ｏｔｅｅｔ?ｊ??Ｓ?－說(shuō)?：：?＾????Ｉ－挪．…一…—??－自咨．??偷扣??－齡?Ｊ?？???????＜?＊?＊?Ｉ?Ｉ．＂—＇?＇???、???資資?８?裝舅資?浸?資慕?Ｓ．?§瑪琴??件評(píng)■〇〇〇〇〇〇０?一一．一??Ｉ?Ｉ?Ｉ?Ｉ?Ｉ?Ｉ??Ａｐｐｌｉｅｄ?Ｆｉ含Ｉｄ?巧ａｉｉｓｓ）??圖５．?１在置位／復(fù)位后傳感器輸出曲線??從圖５．１中可Ｗ發(fā)現(xiàn)磁阻傳感器ＨＭＣ１００１在置位后輸出的電壓

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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[9]引信戰(zhàn)斗部一體化設(shè)計(jì)仿真研究[D]. 郭天吉.中北大學(xué) 2006
[10]適于不同介質(zhì)的侵徹炸點(diǎn)深度控制技術(shù)的應(yīng)用研究[D]. 劉寧.中北大學(xué) 2006



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